Детальная информация
| Название | Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия: дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 |
|---|---|
| Авторы | Вороненков Владислав Валерьевич |
| Научный руководитель | Шретер Юрий Георгиевич |
| Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2014 |
| Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
| Тематика | Галлий, нитриды ; Полупроводники — Кристаллы — Рост ; газофазная эпитаксия |
| УДК | 537.311.322:548.5(043.3) |
| Тип документа | Диссертация |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Код специальности ОКСВНК | 01.04.10 |
| Группа специальностей ОКСВНК | 010000 - Физико-математические науки |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\23255 |
| Дата создания записи | 17.11.2014 |
В работе исследован процесс выращивания толстых монокристаллических слоев нитрида галлия методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Исследованы режимы роста нитрида галлия, механизмы возникновения ямок роста и механизмы образования растягивающего механического напряжения. Предложены способы оптимизации технологического процесса выращивания толстых слоев нитрида галлия.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
Количество обращений: 1248
За последние 30 дней: 10
