Details
| Title | Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия: дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 |
|---|---|
| Creators | Вороненков Владислав Валерьевич |
| Scientific adviser | Шретер Юрий Георгиевич |
| Organization | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2014 |
| Collection | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
| Subjects | Галлий, нитриды ; Полупроводники — Кристаллы — Рост ; газофазная эпитаксия |
| UDC | 537.311.322:548.5(043.3) |
| Document type | Dissertation |
| Language | Russian |
| Speciality code (OKSVNK) | 01.04.10 |
| Speciality group (OKSVNK) | 010000 - Физико-математические науки |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\23255 |
| Record create date | 11/17/2014 |
В работе исследован процесс выращивания толстых монокристаллических слоев нитрида галлия методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Исследованы режимы роста нитрида галлия, механизмы возникновения ямок роста и механизмы образования растягивающего механического напряжения. Предложены способы оптимизации технологического процесса выращивания толстых слоев нитрида галлия.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | All |
|
...
