?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия: дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Creators: Вороненков Владислав Валерьевич
Scientific adviser: Шретер Юрий Георгиевич
Organization: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Imprint: Санкт-Петербург, 2014
Collection: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Subjects: Галлий, нитриды; Полупроводники — Кристаллы — Рост; газофазная эпитаксия
UDC: 537.311.322:548.5(043.3)
Document type: Dissertation
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (OKSVNK): 01.04.10
Speciality group (OKSVNK): 010000 - Физико-математические науки
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions: Read Download (46 Mb)

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В работе исследован процесс выращивания толстых монокристаллических слоев нитрида галлия методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Исследованы режимы роста нитрида галлия, механизмы возникновения ямок роста и механизмы образования растягивающего механического напряжения. Предложены способы оптимизации технологического процесса выращивания толстых слоев нитрида галлия.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous Read Print Download

Usage statistics

stat Access count: 398
Last 30 days: 14
Detailed usage statistics