Детальная информация

Название: Излучение среднего инфракрасного диапазона из структур с квантовыми ямами InAs/GaSb: магистерская диссертация
Авторы: Цзян Цзян
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2015
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Фотодетекторы; Полупроводниковые структуры; Инфракрасные лучи; квантовые ямы
УДК: 537.311.322:535-15(043.3)
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена исследованию оптических явлений в материалах, предназначенных для создания новых фотодетекторов, работающих в среднем инфракрасном диапазоне. В работе исследованы структура с квантовыми ямами второго типа InAs/GaSb и структура с объемным материалом InAsSb. Для первой структуры проведены расчеты энергетических уровней электронов и дырок в квантовых ямах и измерены спектры фотолюминесценции при разных температурах. Для второй структуры проведены расчеты ширины запрещенной зоны InAsSb и измерены спектры фото- и электролюминесценции при разных температурах. Получено хорошее соответствие результатов эксперимента и расчетов.

This work is devoted to investigation of optical phenomena in materials that are promising for creating novel photodetectors that operate in the middle infrared spectral region. In this work sample with type-II quantum wells InAs/GaSb and sample containing InAsSb bulk material were investigated. For the first sample calculations of energy levels of electrons and holes in QWs were completed and photoluminescence spectra under different temperature were obtained. For the second sample calculations of band-gap value of InAsSb were done, PL spectra under different temperature and electroluminescence spectra under 80 K were observed. It can be concluded that experimental results are in good agreement with theoretical calculations.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 715
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика