С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Излучение среднего инфракрасного диапазона из структур с квантовыми ямами InAs/GaSb: магистерская диссертация
Creators: Цзян Цзян
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2015
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Фотодетекторы; Полупроводниковые структуры; Инфракрасные лучи; квантовые ямы
UDC: 537.311.322:535-15(043.3)
File type: PDF
Language: Russian
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена исследованию оптических явлений в материалах, предназначенных для создания новых фотодетекторов, работающих в среднем инфракрасном диапазоне. В работе исследованы структура с квантовыми ямами второго типа InAs/GaSb и структура с объемным материалом InAsSb. Для первой структуры проведены расчеты энергетических уровней электронов и дырок в квантовых ямах и измерены спектры фотолюминесценции при разных температурах. Для второй структуры проведены расчеты ширины запрещенной зоны InAsSb и измерены спектры фото- и электролюминесценции при разных температурах. Получено хорошее соответствие результатов эксперимента и расчетов.

This work is devoted to investigation of optical phenomena in materials that are promising for creating novel photodetectors that operate in the middle infrared spectral region. In this work sample with type-II quantum wells InAs/GaSb and sample containing InAsSb bulk material were investigated. For the first sample calculations of energy levels of electrons and holes in QWs were completed and photoluminescence spectra under different temperature were obtained. For the second sample calculations of band-gap value of InAsSb were done, PL spectra under different temperature and electroluminescence spectra under 80 K were observed. It can be concluded that experimental results are in good agreement with theoretical calculations.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 709
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics