Детальная информация

Название: Поглощение ИК излучения неравновесными носителями заряда в структурах с квантовыми точками GeSi/Si: бакалаврская работа
Авторы: Кириленко Олег Игоревич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2015
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа представляет собой изучение оптических свойств нелегированных структур с квантовыми точками GeSi/Si. Были исследованы стационарные спектры поглощения и динамика релаксации неравновесных носителей заряда на длине волны пика поглощения. В ходе экспериментов наблюдался динамический аналог эффекта Бурштейна-Мосса. По данным результатов динамики релаксации были вычислены величины приповерхностных изгибов валентной зоны и зоны проводимости на интерфейсе квантовой точки.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 70
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика