Детальная информация
| Название | Поглощение ИК излучения неравновесными носителями заряда в структурах с квантовыми точками GeSi/Si: бакалаврская работа |
|---|---|
| Авторы | Кириленко Олег Игоревич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2015 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тип документа | Другой |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\27140 |
| Дата создания записи | 08.09.2015 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Данная работа представляет собой изучение оптических свойств нелегированных структур с квантовыми точками GeSi/Si. Были исследованы стационарные спектры поглощения и динамика релаксации неравновесных носителей заряда на длине волны пика поглощения. В ходе экспериментов наблюдался динамический аналог эффекта Бурштейна-Мосса. По данным результатов динамики релаксации были вычислены величины приповерхностных изгибов валентной зоны и зоны проводимости на интерфейсе квантовой точки.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 482
За последние 30 дней: 0
