Details

Title Поглощение ИК излучения неравновесными носителями заряда в структурах с квантовыми точками GeSi/Si: бакалаврская работа
Creators Кириленко Олег Игоревич
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2015
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Document type Other
File type PDF
Language Russian
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\27140
Record create date 9/8/2015

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Данная работа представляет собой изучение оптических свойств нелегированных структур с квантовыми точками GeSi/Si. Были исследованы стационарные спектры поглощения и динамика релаксации неравновесных носителей заряда на длине волны пика поглощения. В ходе экспериментов наблюдался динамический аналог эффекта Бурштейна-Мосса. По данным результатов динамики релаксации были вычислены величины приповерхностных изгибов валентной зоны и зоны проводимости на интерфейсе квантовой точки.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 482 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics