Details
| Title | Поглощение ИК излучения неравновесными носителями заряда в структурах с квантовыми точками GeSi/Si: бакалаврская работа |
|---|---|
| Creators | Кириленко Олег Игоревич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2015 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Document type | Other |
| File type | |
| Language | Russian |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\27140 |
| Record create date | 9/8/2015 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
Данная работа представляет собой изучение оптических свойств нелегированных структур с квантовыми точками GeSi/Si. Были исследованы стационарные спектры поглощения и динамика релаксации неравновесных носителей заряда на длине волны пика поглощения. В ходе экспериментов наблюдался динамический аналог эффекта Бурштейна-Мосса. По данным результатов динамики релаксации были вычислены величины приповерхностных изгибов валентной зоны и зоны проводимости на интерфейсе квантовой точки.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 482
Last 30 days: 0
