Детальная информация
Название | Оптические свойства микроструктур n-GaN/сапфир: бакалаврская работа |
---|---|
Авторы | Яичников Денис Юрьевич |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2015 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
Тип документа | Другой |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\27179 |
Дата создания записи | 09.09.2015 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Проведены теоретические расчеты оптических свойств эпитаксиальных слоев n-GaN с различным уровнем легирования. Найдены спектры диэлектрической проницаемости, а также спектры показателей поглощения и преломления эпитаксиального слоя n-GaN. Рассмотрены структуры n-GaN/сапфир с разной толщиной эпитаксиального слоя, для которых рассчитаны спектры отражательной и поглощательной способностей. Экспериментально исследованы равновесные спектры отражения n-GaN. Исследован спектр эмиссии ТГц излучения эпитаксиального слоя n-GaN в латеральном электрическом поле. Проведено сопоставление результатов эксперимента с расчетом. Результаты исследований могут быть использованы для разработки источника ТГц излучения с электрической накачкой.
Theoretical calculations of the optical properties of epitaxial n-GaN layers with different doping levels were performed. Permittivity, absorption and refractive index spectra of the epitaxial n-GaN layer were found. Reflectance and absorbance spectra were simulated for the n-GaN/sapphire structures with different thickness of the epitaxial layer. The equilibrium reflection spectra were experimentally investigated for n-GaN/sapphire structure. The spectrum of THz radiation emission in epitaxial n-GaN layer in the lateral electric field was experimentally studied. The comparison of the experimental results with the calculations was performed. The research results can be used to develop a source of THz radiation with an electric pumping.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 659
За последние 30 дней: 0