Details

Title Оптические свойства микроструктур n-GaN/сапфир: бакалаврская работа
Creators Яичников Денис Юрьевич
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2015
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Document type Other
File type PDF
Language Russian
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\27179
Record create date 9/9/2015

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Проведены теоретические расчеты оптических свойств эпитаксиальных слоев n-GaN с различным уровнем легирования. Найдены спектры диэлектрической проницаемости, а также спектры показателей поглощения и преломления эпитаксиального слоя n-GaN. Рассмотрены структуры n-GaN/сапфир с разной толщиной эпитаксиального слоя, для которых рассчитаны спектры отражательной и поглощательной способностей. Экспериментально исследованы равновесные спектры отражения n-GaN. Исследован спектр эмиссии ТГц излучения эпитаксиального слоя n-GaN в латеральном электрическом поле. Проведено сопоставление результатов эксперимента с расчетом. Результаты исследований могут быть использованы для разработки источника ТГц излучения с электрической накачкой.

Theoretical calculations of the optical properties of epitaxial n-GaN layers with different doping levels were performed. Permittivity, absorption and refractive index spectra of the epitaxial n-GaN layer were found. Reflectance and absorbance spectra were simulated for the n-GaN/sapphire structures with different thickness of the epitaxial layer. The equilibrium reflection spectra were experimentally investigated for n-GaN/sapphire structure. The spectrum of THz radiation emission in epitaxial n-GaN layer in the lateral electric field was experimentally studied. The comparison of the experimental results with the calculations was performed. The research results can be used to develop a source of THz radiation with an electric pumping.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 659 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics