Details
Title | Оптические свойства микроструктур n-GaN/сапфир: бакалаврская работа |
---|---|
Creators | Яичников Денис Юрьевич |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2015 |
Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Document type | Other |
File type | |
Language | Russian |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\27179 |
Record create date | 9/9/2015 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
Проведены теоретические расчеты оптических свойств эпитаксиальных слоев n-GaN с различным уровнем легирования. Найдены спектры диэлектрической проницаемости, а также спектры показателей поглощения и преломления эпитаксиального слоя n-GaN. Рассмотрены структуры n-GaN/сапфир с разной толщиной эпитаксиального слоя, для которых рассчитаны спектры отражательной и поглощательной способностей. Экспериментально исследованы равновесные спектры отражения n-GaN. Исследован спектр эмиссии ТГц излучения эпитаксиального слоя n-GaN в латеральном электрическом поле. Проведено сопоставление результатов эксперимента с расчетом. Результаты исследований могут быть использованы для разработки источника ТГц излучения с электрической накачкой.
Theoretical calculations of the optical properties of epitaxial n-GaN layers with different doping levels were performed. Permittivity, absorption and refractive index spectra of the epitaxial n-GaN layer were found. Reflectance and absorbance spectra were simulated for the n-GaN/sapphire structures with different thickness of the epitaxial layer. The equilibrium reflection spectra were experimentally investigated for n-GaN/sapphire structure. The spectrum of THz radiation emission in epitaxial n-GaN layer in the lateral electric field was experimentally studied. The comparison of the experimental results with the calculations was performed. The research results can be used to develop a source of THz radiation with an electric pumping.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 659
Last 30 days: 0