С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Оптические свойства микроструктур n-GaN/сапфир: бакалаврская работа
Авторы: Яичников Денис Юрьевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. Физики полупроводников и наноэлектроники
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2015
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Проведены теоретические расчеты оптических свойств эпитаксиальных слоев n-GaN с различным уровнем легирования. Найдены спектры диэлектрической проницаемости, а также спектры показателей поглощения и преломления эпитаксиального слоя n-GaN. Рассмотрены структуры n-GaN/сапфир с разной толщиной эпитаксиального слоя, для которых рассчитаны спектры отражательной и поглощательной способностей. Экспериментально исследованы равновесные спектры отражения n-GaN. Исследован спектр эмиссии ТГц излучения эпитаксиального слоя n-GaN в латеральном электрическом поле. Проведено сопоставление результатов эксперимента с расчетом. Результаты исследований могут быть использованы для разработки источника ТГц излучения с электрической накачкой.

Theoretical calculations of the optical properties of epitaxial n-GaN layers with different doping levels were performed. Permittivity, absorption and refractive index spectra of the epitaxial n-GaN layer were found. Reflectance and absorbance spectra were simulated for the n-GaN/sapphire structures with different thickness of the epitaxial layer. The equilibrium reflection spectra were experimentally investigated for n-GaN/sapphire structure. The spectrum of THz radiation emission in epitaxial n-GaN layer in the lateral electric field was experimentally studied. The comparison of the experimental results with the calculations was performed. The research results can be used to develop a source of THz radiation with an electric pumping.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 648
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика