Details
Title | Исследование полупроводниковых структур по глубине методом катодолюминесценции: бакалаврская работа |
---|---|
Creators | Школдин Виталий Алексеевич |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2015 |
Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Document type | Other |
File type | |
Language | Russian |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\27439 |
Record create date | 9/17/2015 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
Представлено исследование по глубине структуры, состоящей из слоя 3C-SiC на подложке 6H-SiC методом катодолюминесценции (КЛ). Показано наличие направленной диффузии электронно-дырочных пар из подложки с более широкой шириной запрещенной зоны в слой с более узкой шириной запрещенной зоной.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 705
Last 30 days: 1