Details
| Title | Поглощение света в полупроводниках: межзонные переходы, экситоны, примеси: учебное пособие |
|---|---|
| Creators | Винниченко Максим Яковлевич ; Мелентьев Григорий Александрович |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций. Высшая инженерно-физическая школа |
| Imprint | Санкт-Петербург: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2025 |
| Collection | Учебная и учебно-методическая литература ; Общая коллекция |
| Document type | Tutorial |
| File type | |
| Language | Russian |
| Speciality code (FGOS) | 16.00.00 |
| Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/i25-302 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать) |
| Additionally | New arrival |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\77428 |
| Record create date | 11/18/2025 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
В учебном пособии рассмотрены физические процессы поглощения света в полупроводниках, связанные с межзонными оптическими переходами. Подробно излагается квантовомеханическая теория прямых и непрямых переходов, влияние температуры на ширину запрещенной зоны, а также роль экситонов в формировании спектров поглощения. Особое внимание уделено примесному поглощению и влиянию сильного легирования. Теоретический материал дополнен экспериментальными данными для различных полупроводниковых материалов. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям «Техническая физика», а также по другим направлениям, в учебных планах которых предусмотрено изучение оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наноструктур. Материалы учебного пособия могут быть использованы при изучении курсов «Оптические явления в полупроводниках» и «Физика полупроводников и наноразмерных структур» студентами старших курсов, а также аспирантами и научными работниками, специализирующимися в области полупроводниковой оптоэлектроники.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
- Содержание
- Список основных обозначений
- Введение
- 1. Прямые межзонные переходы
- 1.1. Квантовомеханическая теория фундаментального поглощения для прямозонных полупроводников
- 2. Непрямые межзонные переходы
- 2.1. Квантовомеханическая теория фундаментального поглощения для непрямозонного полупроводника
- 2.2. Непрямые межзонные переходы в прямозонном полупроводнике. Многофононные процессы
- 3. Зависимость ширины запрещенной зоны от температуры
- 3.1. Фактор Дебая-Уоллера
- 3.2. Фактор, связанный с деформацией решетки под действием температуры и давления
- 3.3. Механизм Фэна
- 4. Экситонное поглощение
- 4.1. Экситоны в полупроводниках
- 4.2. Расчет энергетического спектра экситонов большого радиуса
- 4.3. Экситон как возбужденное состояние кристалла
- 4.4. Экситонное поглощение света при прямых переходах
- 5. Примесное поглощение света
- 5.1. Водородоподобная модель описания примеси
- 5.2. Фотоионизация мелкого донора
- 5.3. Фотодеионизация мелкого донора
- 5.4. Сильнолегированные полупроводники: край фундаментального поглощения
- Приложение А. Плотность состояний носителей заряда в низкоразмерных структурах
- Приложение Б. Примеры тестовых экзаменационных вопросов
- Литература
Access count: 0
Last 30 days: 0
