?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителей заряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2016 № 4 (253)
Creators: Винниченко Максим Яковлевич; Махов Иван Сергеевич; Селиванов Анатолий Викторович; Сорокина Анастасия Максимовна; Воробьев Леонид Евгеньевич; Фирсов Дмитрий Анатольевич; Штеренгас Леон; Беленький Григорий Львович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; Университет штата Нью-Йорк
Imprint: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2016
Collection: Общая коллекция
Subjects: Физика; Люминесценция; фотолюминесценция; квантовые ямы; оже-рекомбинации; носители зарядов (физика); неравновесные носители зарядов; концентрация носителей зарядов; межзонная фотолюминесценция; интенсивность накачки (физика); электроны; полупроводниковые лазеры; наноструктуры; полупроводники
UDC: 535.37
LBC: 22.345
Document type: Article, report
File type: PDF
Language: Russian
DOI: 10.5862/JPM.253.6
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions: Read Download (0.7 Mb)

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Экспериментально исследованы спектры межзонной фотолюминесценции структур с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb различной ширины. Проведен расчет зависимости концентрации носителей заряда, участвующих в излучательной рекомбинации, от интенсивности накачки. Результаты расчета согласуется с экспериментальной зависимостью интенсивности фотолюминесценции в максимуме спектра от интенсивности накачки. Обнаружена резонансная оже-рекомбинация с участием двух дырок и электрона, которая приводит к значительному уменьшению концентрации носителей заряда. Для повышения эффективности инжекционных полупроводниковых лазеров на длины волн около 3 мкм даны рекомендации по подавлению безызлучательной оже-рекомбинации.

The interband photoluminescence spectra of InGaAsSb/AlGaAsSb quantum wells with different well widths have been experimentally studied. The dependence of the concentration of the charge carriers participating in the radiative recombination on the pumping intensity level was calculated. Results of theoretical calculations appeared to be in good agreement with the experimental relationship between the photoluminescence intensity at spectral maxima and the pumping intensity. The resonant Auger recombination involved two holes and one electron and caused a significant decrease in the charge carrier concentration was detected in one of the samples. Recommendations were made to increase the operating efficiency of semiconductor injection lasers at wavelengths of about 3 μm for suppressing the parasitic nonradiative Auger recombination.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Included in

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета = St. Petersburg state polytechnical university journal. Physics and mathematics. Сер.: Физико-математические науки: научное издание / Министерство образования и науки Российской Федерации. — Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2008- № 4 (253) [Электронный ресурс]. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 11,0 Мб). — Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2016. — Загл. с титул. экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый документ. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j17-103.pdf>.

Usage statistics

stat Access count: 172
Last 30 days: 12
Detailed usage statistics