Абросимов, Александр Сергеевич. Численное моделирование резонансно-туннельных структур на основе барьера Шоттки и гетероперехода GaAs/AlGaAs [Электронный ресурс] / А. С. Абросимов, В. Н. Агарев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 948 Кб) // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки = St. Petersburg state polytechnical university journal. Physics and mathematics: научное издание / Министерство образования и науки Российской Федерации. – 2018. – Т. 11, № 1 [Электронный ресурс]. — Загл. с титул. экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://dx.doi.org/10.18721/JPM.11101>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j18-255.pdf>.