Детальная информация

The possibility of formation of a p–n-junction in a film of porous silicon by means of pulse laser radiation have been shown. Methods of Raman spectroscopy and photoluminescence spectroscopy were used to investigate features of transformation of a microstructure of a film of porous silicon under the influence of laser radiation. To study the features of the electrophysical characteristics of the obtained semiconductor structure, methods for measuring the current-voltage and the capacitance-voltage characteristics were used. The obtained p–n-junction was sharp. The mechanisms of current flow had a complex character and were mainly determined by the processes of generation and recombination of carriers in the space-charge region of the p–n-junction involving the energy levels of the traps.

Показана возможность формирования p–n-перехода в пленке пористого кремния с помощью импульсного лазерного излучения. Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции исследованы особенности трансформации микроструктуры пленки пористого кремния под действием лазерного излучения. Показано, что p–n-переход формируется под действием излучения лазера внутри наиболее крупных кремниевых кристаллитов пленки пористого кремния. Для изучения особенностей электрофизических характеристик полученной полупроводниковой структуры применялись методы измерения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик. Полученный p–n-переход является резким. Механизмы токопрохождения имеют сложный характер и в основном определяются процессами генерации и рекомбинации носителей в области пространственного заряда p–n-перехода с участием энергетических уровней ловушек.