Details

Title: Properties of the semiconductor structure with a p–n-junction created in a porous silicon film under laser radiation // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2018. – Т. 11, № 1
Creators: Tregulov V. V.; Stepanov V. A.; Melnik N. N.
Organization: Рязанский государственный университет имени С. А. Есенина; Физический инстиут им. П. Н. Лебедева РАН
Imprint: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2018
Collection: Общая коллекция
Subjects: Люминесценция; Физика; p-n transitions; laser radiation; Raman scattering; photoluminescence; crystallites; пористый кремний; p-n переходы; лазерное излучение; комбинационное рассеяние света; фотолюминесценция; кристаллиты; porous silicon
UDC: 535.37
LBC: 22.345
Document type: Article, report
File type: Other
Language: English
DOI: 10.18721/JPM.11102
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\60844

Allowed Actions: Read Download (0.9 Mb)

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

The possibility of formation of a p–n-junction in a film of porous silicon by means of pulse laser radiation have been shown. Methods of Raman spectroscopy and photoluminescence spectroscopy were used to investigate features of transformation of a microstructure of a film of porous silicon under the influence of laser radiation. To study the features of the electrophysical characteristics of the obtained semiconductor structure, methods for measuring the current-voltage and the capacitance-voltage characteristics were used. The obtained p–n-junction was sharp. The mechanisms of current flow had a complex character and were mainly determined by the processes of generation and recombination of carriers in the space-charge region of the p–n-junction involving the energy levels of the traps.

Показана возможность формирования p–n-перехода в пленке пористого кремния с помощью импульсного лазерного излучения. Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции исследованы особенности трансформации микроструктуры пленки пористого кремния под действием лазерного излучения. Показано, что p–n-переход формируется под действием излучения лазера внутри наиболее крупных кремниевых кристаллитов пленки пористого кремния. Для изучения особенностей электрофизических характеристик полученной полупроводниковой структуры применялись методы измерения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик. Полученный p–n-переход является резким. Механизмы токопрохождения имеют сложный характер и в основном определяются процессами генерации и рекомбинации носителей в области пространственного заряда p–n-перехода с участием энергетических уровней ловушек.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Usage statistics

stat Access count: 232
Last 30 days: 1
Detailed usage statistics