Details

Исследованы свойства тонких пленок полимерного нанокомпозита MEH-PPV/PbS (полимер MEH-PPV – квантовые точки (КТ) сульфида свинца PbS) и отдельно КТ PbS, подвергнутых гамма-облучению дозами до 24,4 кГр по H[2]O. Образцы пленок для изучения их фотолюминесценции (ФЛ) были приготовлены из раствора с помощью технологии спин-коатинга, а для изучения фотопроводимости – по технологии "на щели". Найдены пороговые дозы резкой необратимой деградации ФЛ нанокомпозитного полимера MEH-PPV/PbS, определяемые деградацией КТ PbS. Исследована динамика поведения фотопроводимости нанокомпозита после облучения. Показано, что наблюдаемые процессы релаксации проводимости в нанокомпозите связаны с восстановлением разрывов в сопряженных цепях полимера MEH-PPV. Обнаружено отсутствие релаксации проводимости и фотопроводимости в коллоидных КТ PbS.

The thin-film properties of polymeric nanocomposite MEH-PPV/PbS (with PbS quantum dots (QD)) and PbS-QD gamma-irradiated by 0.5–24.4 kGy doses have been studied. The film samples for photoluminescence (PL) investigation were prepared from solution using spin-coating technique, and for photoconductivity measuring were made using slot technique. The threshold doses for irreversible sharp PL-degradation of nanocomposite determined by the degradation of PbS-QD were found. The behavior dynamics of MEH-PPV/PbS photoconductivity after irradiation was analyzed. The conduction relaxation observed in the MEH-PPV/PbS was shown to be due to restoration of damages in the conjugate chains of the MEH-PPV polymer. Moreover, the absence of conductivity and photoconductivity relaxations in the colloidal PbS was revealed.