Детальная информация
| Название | Contribution of internal ionization processes in semiconductors to radiative losses of relativistic electrons // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2020. – Т. 13, № 3. — С. 7-14 |
|---|---|
| Авторы | Vasiliev A. E. ; Kozlovski V. V. ; Kolgatin S. N. |
| Выходные сведения | 2020 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Радиоэлектроника ; Полупроводниковые приборы ; semiconductors ; ionization of semiconductors ; internal ionization of semiconductors ; braking energy loss ; relativistic electrons ; electron accelerators ; electron-hole pairs ; полупроводники ; ионизация полупроводников ; внутренняя ионизация полупроводников ; тормозные потери энергии ; релятивистские электроны ; ускорители электронов ; электронно-дырочные пары |
| УДК | 621.382 |
| ББК | 32.852 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Тип файла | |
| Язык | Английский |
| DOI | 10.18721/JPM.13301 |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\64509 |
| Дата создания записи | 10.12.2020 |
The study presents analysis of mass radiative energy losses (RL) incurred by relativistic electrons in different materials commonly used in semiconductor electronics. We have specifically focused on accounting for the processes of 'internal' ionization, resulting in the production of electron-hole pairs in semiconductors and dielectrics. We have established that accounting for these processes is the only method offering consistent explanations on the values of mass RLs observed experimentally. The analysis performed should allow to make more detailed predictions for the performance of semiconductor devices in real conditions, particularly, in space.
Выполнен анализ массовых тормозных потерь энергии (ТПЭ) релятивистских электронов в различных материалах, используемых в полупроводниковой электронике. Особое внимание уделено учету процессов "внутренней" ионизации, приводящей к образованию электронно-дырочных пар в полупроводниках и диэлектриках. Показано, что только при таком учете удается непротиворечиво объяснить экспериментально наблюдаемые значения массовых ТПЭ. Проведенный в работе анализ позволит выполнить более детальное прогнозирование работоспособности полупроводниковых приборов в реальных, в частности, космических, условиях.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
Количество обращений: 390
За последние 30 дней: 20
