The study presents analysis of mass radiative energy losses (RL) incurred by relativistic electrons in different materials commonly used in semiconductor electronics. We have specifically focused on accounting for the processes of 'internal' ionization, resulting in the production of electron-hole pairs in semiconductors and dielectrics. We have established that accounting for these processes is the only method offering consistent explanations on the values of mass RLs observed experimentally. The analysis performed should allow to make more detailed predictions for the performance of semiconductor devices in real conditions, particularly, in space.

Выполнен анализ массовых тормозных потерь энергии (ТПЭ) релятивистских электронов в различных материалах, используемых в полупроводниковой электронике. Особое внимание уделено учету процессов "внутренней" ионизации, приводящей к образованию электронно-дырочных пар в полупроводниках и диэлектриках. Показано, что только при таком учете удается непротиворечиво объяснить экспериментально наблюдаемые значения массовых ТПЭ. Проведенный в работе анализ позволит выполнить более детальное прогнозирование работоспособности полупроводниковых приборов в реальных, в частности, космических, условиях.

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 4 раза в год. — Выходит с 07.2019. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текст: электронный

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. Т. 13, № 3, 2020. — 1 файл (9,38 Мб). — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j20-214.pdf>.