Details

Title: Contribution of internal ionization processes in semiconductors to radiative losses of relativistic electrons // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2020. – С. 7-14
Creators: Vasiliev A. E.; Kozlovski V. V.; Kolgatin S. N.
Imprint: 2020
Collection: Общая коллекция
Subjects: Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; semiconductors; ionization of semiconductors; internal ionization of semiconductors; braking energy loss; relativistic electrons; electron accelerators; electron-hole pairs; полупроводники; ионизация полупроводников; внутренняя ионизация полупроводников; тормозные потери энергии; релятивистские электроны; ускорители электронов; электронно-дырочные пары
UDC: 621.382
LBC: 32.852
Document type: Article, report
File type: PDF
Language: English
DOI: 10.18721/JPM.13301
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\64509

Allowed Actions: Read Download (322 Kb)

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

The study presents analysis of mass radiative energy losses (RL) incurred by relativistic electrons in different materials commonly used in semiconductor electronics. We have specifically focused on accounting for the processes of 'internal' ionization, resulting in the production of electron-hole pairs in semiconductors and dielectrics. We have established that accounting for these processes is the only method offering consistent explanations on the values of mass RLs observed experimentally. The analysis performed should allow to make more detailed predictions for the performance of semiconductor devices in real conditions, particularly, in space.

Выполнен анализ массовых тормозных потерь энергии (ТПЭ) релятивистских электронов в различных материалах, используемых в полупроводниковой электронике. Особое внимание уделено учету процессов "внутренней" ионизации, приводящей к образованию электронно-дырочных пар в полупроводниках и диэлектриках. Показано, что только при таком учете удается непротиворечиво объяснить экспериментально наблюдаемые значения массовых ТПЭ. Проведенный в работе анализ позволит выполнить более детальное прогнозирование работоспособности полупроводниковых приборов в реальных, в частности, космических, условиях.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Usage statistics

stat Access count: 274
Last 30 days: 5
Detailed usage statistics