Electronic Documents Search

Documents found: 22

Introductory MEMS : fabrication and applications

Creators	Adams Thomas M.; Layton Richard A.
Imprint	Boston, MA: Springer, 2010
Collection	Электронные книги зарубежных издательств; Общая коллекция
Subjects	Микроэлектронные схемы интегральные — Производство; Датчики; Полупроводники; sensors; integrated circuit; mechanics; semiconductors; microelectromechanical system (MEMS)
UDC	621.382.049.77; 681.586; 537.311.322
Document type	Other
File type	Other
Language	English
Rights	Доступ из локальной сети ФБ СПбПУ (чтение, печать, копирование)

https://link.springer.com/book/10.1007/978-0-387-09511-0

A method for minimizing aging influence on rail-to-rail operational amplifier with thin oxide transistors // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 3. — С. 351-359

Creators	Melikyan V. Sh.; Ghukasyan S. A.; Harutyunyan S. S.; Voskanyan G. A.; Asatryan N. A.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Детали и узлы электрических аппаратов; Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; operational amplifiers (radioelectronics); transistors; oxide transistors; transistor aging; semiconductors; rail-to-rail design method; операционные усилители (радиоэлектроника); транзисторы; оксидные транзисторы; тонкие оксидные транзисторы; старение транзисторов; полупроводники; метод проектирования rail-to-rail
UDC	621.3; 621.382
LBC	31.264-04; 32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	English
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-3-351-359
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54011395

Моделирование средствами TCAD воздействия тяжелых заряженных частиц на n-МОП-структуру в составе ячейки памяти // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 3. — С. 385-390

Creators	Смирнова В. П.; Крупкина Т. Ю.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Детали и узлы электрических аппаратов; Вычислительная техника; Имитационное компьютерное моделирование; n-МОП-структуры; ячейки памяти (электроника); тяжелые заряженные частицы; математическое моделирование; средства TCAD; интегральные микросхемы; полупроводники; n-mosfet structures; memory cells (electronics); heavy charged particles; mathematical modeling; TCAD tools; integrated circuits; semiconductors
UDC	621.3; 004.94
LBC	31.264-04; 32.973-018.2
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-3-385-390
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54011399

Оптические исследования гетероструктур GaN/AlGaN в терагерцовом диапазоне частот: бакалаврская работа: 16.03.01

Creators	Галимов Айдар Ильшатович
Scientific adviser	Шалыгин Вадим Александрович
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint	Санкт-Петербург, 2016
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	эмиссия излучения; терагерцовый диапазон; полупроводники; оптические свойства; 2D-плазмоны; 2D-электроны; гетерострукуры; radiation emission; the terahertz range; semiconductors; optical properties; 2D-plasmons; 2D-electrons; heterostructure
Document type	Bachelor graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Bachelor
Speciality code (FGOS)	16.03.01
Speciality group (FGOS)	160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI	10.18720/SPBPU/2/v16-352
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 2.7 Mb

Creators	Melikyan V. Sh.; Ghukasyan S. A.; Harutyunyan S. S.; Voskanyan G. A.; Asatryan N. A.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Детали и узлы электрических аппаратов; Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; operational amplifiers (radioelectronics); transistors; oxide transistors; transistor aging; semiconductors; rail-to-rail design method; операционные усилители (радиоэлектроника); транзисторы; оксидные транзисторы; тонкие оксидные транзисторы; старение транзисторов; полупроводники; метод проектирования rail-to-rail
UDC	621.3; 621.382
LBC	31.264-04; 32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	English
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-3-351-359
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54011395

Parametric study of a high power DC circuit breaker based on vacuum interrupters (VI) and semiconductors // Научно-технические ведомости СПбГПУ. – 2017. – Т. 23, № 1

Creators	Kuchinskii V. G.; Siddharth N. N.
Imprint	2017
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Электровакуумные приборы; параметрические исследования; выключатели тока; постоянный ток; дугогасительные камеры; полупроводники; конденсаторы; варисторы; ток короткого замыкания; parametric studies; current switches; direct current; interrupter chamber; semiconductors; capacitors; varistors; short-circuit current
UDC	621.385
LBC	32.851
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	English
DOI	10.18721/JEST.230113
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.4 Mb

Терагерцовая электролюминесценция в гетероструктурах GaN/AlGaN: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника

Creators	Логинов Леонид Александрович
Scientific adviser	Шалыгин Вадим Александрович
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint	Санкт-Петербург, 2019
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	эмиссия излучения; терагерцовый диапазон; полупроводники; спектры излучения; 2D электроны; 2D плазмоны; гетероструктуры; горячие 2D электроны; emission; terahertz range; semiconductors; emission spectra; 2D electrons; non-equilibrium 2D plasmons; heterostructures; temperature of hot 2D electrons
Document type	Bachelor graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Bachelor
Speciality code (FGOS)	11.03.04
Speciality group (FGOS)	110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links	http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-5257-o.pdf; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-5257-a.pdf
DOI	10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-5257
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.4 Mb

Исследование накопления радиационных дефектов в кремнии при облучении ионами PFn+: бакалаврская работа: 210100

Creators	Шевцов Михаил Андреевич
Scientific adviser	Титов Андрей Иванович
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint	Санкт-Петербург, 2016
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	ионная имплантация; инженерия дефектов; RBS/C анализ; радиационные дефекты; полупроводники; структурные нарушения в кремнии; ion implantation; defect engineering; RBS/C analysis; radiation defrcts; semiconductors; structural changes in silicon
Document type	Bachelor graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Bachelor
Speciality code (OKSO)	210100
Speciality group (OKSO)	210000 - Электронная техника, радиотехника и связь
DOI	10.18720/SPBPU/2/v16-2769
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.1 Mb

Электрические флуктуации и двухзарядные ловушки в полупроводниках // Инженерная физика: научно-технический журнал. – 2022. – № 12. — С. 33-38

Creators	Якубович Б. И.
Imprint	2022
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; полупроводники; двухзарядные ловушки (физика); электрические флуктуации; полупроводниковые дефекты; спектры флуктуаций; электрические шумы; полупроводниковые приборы; semiconductors; two-charge traps (physics); electrical fluctuations; semiconductor defects; fluctuation spectra; electrical noise; semiconductor devices
UDC	537.311.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.25791/infizik.12.2022.1304
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49954934

Поэтапное моделирование механизма фазового перехода полупроводник - металл в диоксиде ванадия // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2017. – Т. 10, № 3

Creators	Ильинский Александр Валентинович; Шадрин Евгений Борисович; Пашкевич Марина Эрнестовна
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2017
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика полупроводников и диэлектриков; Физика; корреляционная энергия; распределение Мигдала; Мигдала распределение; переход Мотта; Мотта переход; поэтапное моделирование; полупроводники; диоксид ванадия; phase transitions; correlation energy; Migdal distribution; Mott transition; Pierls transition; phased modeling; фазовые переходы; vanadium dioxide; semiconductors
UDC	537.311.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.10301
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.7 Mb