Details

Title Оптические исследования гетероструктур GaN/AlGaN в терагерцовом диапазоне частот: бакалаврская работа: 16.03.01
Creators Галимов Айдар Ильшатович
Scientific adviser Шалыгин Вадим Александрович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2016
Collection Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects эмиссия излучения; терагерцовый диапазон; полупроводники; оптические свойства; 2D-плазмоны; 2D-электроны; гетерострукуры; radiation emission; the terahertz range; semiconductors; optical properties; 2D-plasmons; 2D-electrons; heterostructure
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 16.03.01
Speciality group (FGOS) 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI 10.18720/SPBPU/2/v16-352
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\32142
Record create date 8/10/2016

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Проведены исследования, ориентированные на создание селективного источника терагерцового излучения. Созданы гетерострукуры GaN/AlGaN с высокоподвижным газом двумерных (2D) электронов. C помощью электрического поля достигнута высокая степень разогрева 2D-электронов (вплоть до 400 К). Исследованы спектры отражения, пропускания и эмиссии терагерцового излучения для гетероструктур GaN/AlGaNна подложке из сапфира и выявлены спектральные особенности, обусловленные 2D-электронами. Спектры отражения и пропускания исследованы также для гетерострукур с металлической решеткой на поверхности. Обсуждается возможность наблюдения эффектов, обусловленных 2D-плазмонами.

The investigations directed to creation of selective terahertz radiation emitter have been performed. The GaN/AlGaN heterostructures with high-mobility 2D electron gas have been fabricated. High degree of the 2D-electron heating (up to 400 K) have been obtained by means of lateral electric field. Spectra of the terahertz radiation reflection, transmission and emission have been studied in GaN/AlGaN heterostructure on sapphire substrate and spectral percularities due to 2D electrons have been revealed. Additionally, spectra of terahertz radiation reflection and transmission have been studied for the heterostructures with metallic grating on the surface. The possibility to observe the effects due to 2D plasmons is discussed.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 389 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics