Details

Предмет исследования. Квантовые точки InGaP(As) в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/ InGaAs. Цель работы. Установление зависимости длины волны максимума спектра фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек InGaP(As) от расположения квантовых ям InGaAs в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs. Метод. Квантовые точки InGaP(As) были получены методом молекулярно-пучковой эпитаксии путём замещения фосфора мышьяком в тонком слое InGaP в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaP(As) исследовались методом спектроскопии фотолюминесценции. Основные результаты. Показано, что использование квантовой ямы InGaAs в качестве поверхности формирования трансформируемого в квантовые точки слоя InGaP не оказывает влияния на длину волны максимума спектра фотолюминесценции квантовых точек. При этом при заращивании квантовых точек квантовой ямой InGaAs толщиной 5 нм и с мольной долей InAs 0,17 наблюдается длинноволновых сдвиг спектра фотолюминесценции квантовых точек на величину 56 нм. Поверхностная плотность квантовых точек составила 1,3x10{12} см{-2}. Практическая значимость. Полученные в работе результаты исследования оптических свойств квантовых точек InGaP(As) могут найти своё применение для разработки активной области источников излучения ближнего инфракрасного диапазона.

Subject of study. InGaP(As) quantum dots in GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs heterostructures. Aim of study. Establishing a dependency of the InGaP(As) semiconductor quantum dots maximum photoluminescence spectrum wavelength on the location of InGaAs quantum wells in GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs heterostructures. Method. InGaP(As) quantum dots were obtained using molecular beam epitaxy technology by replacing phosphorus with arsenic in a thin InGaP layer during epitaxial growth. The optical properties of InGaP(As) quantum dots were studied by photoluminescence spectroscopy. Main results. It is shown that the use of the InGaAs quantum well as the formation surface of the transformed into quantum dots InGaP layer does not affect the wavelength of the maximum photoluminescence spectrum of the quantum dots. At the same time a long-wave shift of the photoluminescence spectrum of quantum dots by 56 nm is observed when the quantum dots are overgrown with 5-nm thick InGaAs quantum well with the molar fraction of InAs 0.17. The surface density of quantum dots was 1.3x10{12} cm{-2}. Practical significance. The results obtained in the study of the optical properties of InGaP(As) quantum dots will serve as the basis for the development of the active region for near-infrared sources.