Electronic Documents Search

Documents found: 21

Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 17-24

Creators	Баранов А. И.; Вторыгин Г. Э.; Уваров А. В.; Максимова А. А.; Вячеславова Е. А.; Гудовских А. С.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Спектроскопия; фосфид бора; гетероструктуры; проводимость гетероструктур; спектроскопия полной проводимости; кремниевые подложки; плазмохимическое осаждение; водородная плазма; boron phosphide; heterostructures; conductivity of heterostructures; total conductivity spectroscopy; silicon substrates; plasma chemical deposition; hydrogen plasma
UDC	535.33
LBC	22.344
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.17302
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 352 Kb

Effect of argon ion bombardment on the composition, electronic structure and physical properties of cadmium fluoride // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 87-96

Creators	Abduvayitov A. A.; Tashmukhamedova D. A.; Umirzakov B. E.; Khujaniyozov J. B.; Bekpulatov I. R.; Loboda V. V.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика твердого тела. Кристаллография в целом; heterostructures; cadmium fluoride; physical properties; electronic structures; argon ions; bombardment with argon ions; epitaxial layers; гетероструктуры; фторид кадмия; физические свойства; электронные структуры; ионы аргона; бомбардировки ионами аргона; эпитаксиальные слои
UDC	539.2
LBC	22.37
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	English
DOI	10.18721/JPM.17308
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.6 Mb

Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 46-56

Creators	Барыкин Д. А.; Шугуров К. Ю.; Можаров А. М.; Мухин И. С.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; полупроводники; гетероструктуры; нитрид галлия; кремний; туннельный эффект (физика); численное моделирование; туннельные диоды; semiconductors; heterostructures; gallium nitride; silicon; tunnel effect (physics); numerical simulation; tunnel diodes
UDC	537.311.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.17305
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.1 Mb

Влияние режима формирования покровного слоя на фотолюминесценцию квантовых точек арсенида индия InAs в кремнии // Оптический журнал. – 2025. – № 4. — С. 14-21

Creators	Лендяшова В. В.; Илькив И. В.; Талалаев В. Г.; Шугабаев Т.; Резник Р. Р.; Цырлин Г. Э.
Imprint	2025
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; арсенид индия; квантовые точки; фотолюминесценция; молекулярно-пучковая эпитаксия; полупроводники; кремний; гетероструктуры; люминесцентные характеристики; india arsenide; quantum dots; photoluminescence; molecular beam epitaxy; semiconductors; silicon; heterostructures; luminescent characteristics
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2025-92-04-14-21
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/15689182/viewer?udb=12&page=16

Оптические свойства квантовых точек InGaP(As) в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs // Оптический журнал: научно-технический журнал. – 2024. – № 6. — С. 30-38

Creators	Андрюшкин В. В.; Новиков И. И.; Гладышев А. Г.; Бабичев А. В.; Неведомский В. Н.; Папылев Д. С.; Колодезный Е. С.; Карачинский Л. Я.; Егоров А. Ю.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; квантовые точки; полупроводниковые квантовые точки; оптические свойства; гетероструктуры; фотолюминесценция; молекулярно-пучковая эпитаксия; полупроводники; quantum dots; semiconductor quantum dots; optical properties; heterostructures; photoluminescence; molecular beam epitaxy; semiconductors
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2024-91-06-30-38
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/13873662/viewer?udb=12&page=32

Эффекты пространственной дисперсии в квантовых ямах: выпускная квалификационная работа магистра: направление 03.04.02 «Физика» ; образовательная программа 03.04.02_09 «Физика конденсированных сред и функциональных наноструктур (международная образовательная программа) / Smart Nanostructures and Condensed Matter Physics (International Educational Program)»

Creators	Алтынбаев Линар Алмазович
Scientific adviser	Журихина Валентина Владимировна
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Физико-механический институт
Imprint	Санкт-Петербург, 2022
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	Фотолюминесценция; Свет — Дисперсия; Свет — Поляризация; Экситоны (физ.); квантовые ямы; отражение; двулучепреломление; интерфейсы; гетероструктуры; quantum wells; reflection; birefringence; interfaces; heterostructures
UDC	628.9.037; 535.32; 539.2; 535.5
Document type	Master graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Master
Speciality code (FGOS)	03.04.02
Speciality group (FGOS)	030000 - Физика и астрономия
DOI	10.18720/SPBPU/3/2023/vr/vr23-306
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

pdf, 2.6 Mb

The efficiency of solar energy conversion by the CdS/por-Si/p-Si heterostructure: the dopant effect // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2020. – Т. 13, № 2. — С. 17-26

Creators	Tregulov V. V.
Imprint	2020
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; heterostructures; solar power; solar energy conversion; alloying impurities; porous silicon; heterojunctions; photovoltaic converters; гетероструктуры; солнечная энергия; преобразование солнечной энергии; легирующие примеси; пористый кремний; гетеропереходы; фотовольтаические преобразователи
UDC	537.11.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	English
DOI	10.18721/JPM.13202
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 270 Kb

Минимальное число каскадов в терагерцовом квантово-каскадном лазере на основе GaAs/AlGaAs с волноводом металл-металл // Оптический журнал: научно-технический журнал. – 2024. – № 1. — С. 33-38

Creators	Дубинов А. А.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физическая оптика; квантово-каскадные лазеры; терагерцовые лазеры; волноводы; волноводы металл-металл; коэффициент поглощения; гетероструктуры; quantum cascade lasers; terahertz lasers; waveguides; metal-to-metal waveguides; absorption coefficient; heterostructures
UDC	535.2/3
LBC	22.343
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2024-91-01-33-38
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/12986482/viewer?udb=12&page=35

Исследование вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик гетеропереходов Si/ZnxCd1 – xTe с различным содержанием Zn в плёнке твёрдого раствора: бакалаврская работа: 11.03.04

Creators	Шихалеев Дмитрий Александрович
Scientific adviser	Зыков Валерий Андреевич
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint	Санкт-Петербург, 2016
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	гетеропереходы; тонкие пленки (микроэлектроника); гетероструктуры; фотоэлектрические свойства; heterojunctions; thin films (microelectronics); heterostructures; the photovoltaic properties
Document type	Bachelor graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Bachelor
Speciality code (FGOS)	11.03.04
Speciality group (FGOS)	110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI	10.18720/SPBPU/2/v16-361
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 4.8 Mb

Создание и исследование фотоприемников для спектрального диапазона 1,5-3,8 мкм на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP с различными диаметрами фоточувствительной площадки (0.1-2.0 мм): бакалаврская работа: 11.03.04

Creators	Пивоварова Антонина Александровна
Scientific adviser	Яковлев Юрий Павлович
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint	Санкт-Петербург, 2016
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	фотоприемники; спектральный диапазон; гетероструктуры; фотодиоды; фоточувствительные площадки (электроника); photodetectors; spectral range; heterostructures; photodiodes; photosensitive area (electronics)
Document type	Bachelor graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Bachelor
Speciality code (FGOS)	11.03.04
Speciality group (FGOS)	110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI	10.18720/SPBPU/2/v16-359
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.4 Mb