Details
| Title | Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 17-24 |
|---|---|
| Creators | Баранов А. И. ; Вторыгин Г. Э. ; Уваров А. В. ; Максимова А. А. ; Вячеславова Е. А. ; Гудовских А. С. |
| Imprint | 2024 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Спектроскопия ; фосфид бора ; гетероструктуры ; проводимость гетероструктур ; спектроскопия полной проводимости ; кремниевые подложки ; плазмохимическое осаждение ; водородная плазма ; boron phosphide ; heterostructures ; conductivity of heterostructures ; total conductivity spectroscopy ; silicon substrates ; plasma chemical deposition ; hydrogen plasma |
| UDC | 535.33 |
| LBC | 22.344 |
| Document type | Article, report |
| File type | |
| Language | Russian |
| DOI | 10.18721/JPM.17302 |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\75152 |
| Record create date | 2/4/2025 |
Проведены исследования слоев фосфида бора ВР и гетеропереходов BP/n-Si, сформированных методом плазмохимического осаждения при температуре 350 С на подложках n-Si с использованием диборана и фосфина. Установлено, что увеличение мощности водородной плазмы позволяет избежать пиннинга уровня Ферми на границе BP/n-Si. Дополнительное разбавление потоком водорода приводило к увеличению проводимости слоя ВР, а поведение вольтамперной характеристики структуры Au/BP/n-Si (золотой электрод) становилось выпрямляющим. Методом спектроскопии полной проводимости были обнаружены поверхностные состояния электронов на границах BP/n-Si во всех образцах и глубокие электронные уровни с энергией 0,58 - 0,65 эВ в слоях ВР, выращенных без дополнительного потока водорода.
The study of BP layers and BP/n-Si heterojunctions formed by plasma enhanced chemical deposition on n-Si substrates has been carried out at a temperature of 350 C using diborane and phosphine. The additional enhancement of hydrogen plasma power was established to make it possible to avoid pinning of the Fermi level at the BP/n-Si interface. Moreover, additional dilution with a hydrogen flow led to an increase in the BP layer conductivity, and the behavior of the current-voltage characteristic of the Au/BP/n-Si structure (golden electrode) became rectifying. Surface states of electrons at the BP/n-Si heterojunctions in all the samples and deep electronic levels with energy 0.58-0.65 eV in BP layers grown without the additional hydrogen flow were detected by admittance spectroscopy.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | All |
|
Access count: 81
Last 30 days: 23
