Детальная информация

Проведены исследования слоев фосфида бора ВР и гетеропереходов BP/n-Si, сформированных методом плазмохимического осаждения при температуре 350 С на подложках n-Si с использованием диборана и фосфина. Установлено, что увеличение мощности водородной плазмы позволяет избежать пиннинга уровня Ферми на границе BP/n-Si. Дополнительное разбавление потоком водорода приводило к увеличению проводимости слоя ВР, а поведение вольтамперной характеристики структуры Au/BP/n-Si (золотой электрод) становилось выпрямляющим. Методом спектроскопии полной проводимости были обнаружены поверхностные состояния электронов на границах BP/n-Si во всех образцах и глубокие электронные уровни с энергией 0,58 - 0,65 эВ в слоях ВР, выращенных без дополнительного потока водорода.

The study of BP layers and BP/n-Si heterojunctions formed by plasma enhanced chemical deposition on n-Si substrates has been carried out at a temperature of 350 C using diborane and phosphine. The additional enhancement of hydrogen plasma power was established to make it possible to avoid pinning of the Fermi level at the BP/n-Si interface. Moreover, additional dilution with a hydrogen flow led to an increase in the BP layer conductivity, and the behavior of the current-voltage characteristic of the Au/BP/n-Si structure (golden electrode) became rectifying. Surface states of electrons at the BP/n-Si heterojunctions in all the samples and deep electronic levels with energy 0.58-0.65 eV in BP layers grown without the additional hydrogen flow were detected by admittance spectroscopy.

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 4 раза в год. — Выходит с 07.2019. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текст: электронный

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. Т. 17, № 3, 2024. — 1 файл (10,2 Мб). — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j25-34.pdf>.