Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения = Admittance spectroscopy of boron phosphide heterostructures grown by plasma enhanced chemical vapor deposition on silicon substrates / А. И. Баранов, Г. Э. Вторыгин, А. В. Уваров [и др.]. — 1 файл (352 Кб). — (Физика конденсированного состояния). — DOI 10.18721/JPM.17302. — Текст: электронный // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 17-24. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j25-36.pdf>.
| Period | Read | Copy | Open | Total | |
|---|---|---|---|---|---|
| Yesterday | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Last 30 days | 15 | 0 | 8 | 0 | 23 |
| Last 365 days | 44 | 0 | 37 | 0 | 81 |
| All time | 44 | 0 | 37 | 0 | 81 |