Details

Title Создание и исследование фотоприемников для спектрального диапазона 1,5-3,8 мкм на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP с различными диаметрами фоточувствительной площадки (0.1-2.0 мм): бакалаврская работа: 11.03.04
Creators Пивоварова Антонина Александровна
Scientific adviser Яковлев Юрий Павлович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2016
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects фотоприемники ; спектральный диапазон ; гетероструктуры ; фотодиоды ; фоточувствительные площадки (электроника) ; photodetectors ; spectral range ; heterostructures ; photodiodes ; photosensitive area (electronics)
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 11.03.04
Speciality group (FGOS) 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI 10.18720/SPBPU/2/v16-359
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\32122
Record create date 8/9/2016

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Данная работа посвящена разработке технологии изготовления фотоприемников с разными диаметрами фоточувствительной площадки 0,1-2,0 мм на основе выращенных методом МОГФЭ гетероструктур InAs/InAsSbP. Она направлена на создание высокоэффективных фотодиодов для спектрального диапазона 1,5-3,8 мкм. Приводятся результаты исследований характеристик полученных приборов. Отличительными особенностями фотоприемников являются высокая обнаружительная способность, которая в максимуме спектра λ=3,0-3,4 мкм достигает значения D*(λmax,1000,1)=(0,6-1,2)·1010 см·Гц1/2/Вт при Т=300 К, высокая токовая монохроматическая чувствительность до Sλ=1,6 А/Вт. При увеличении диаметра фоточувствительной площадки в интервале 0,1-2,0 мм наблюдается возрастание удельной обнаружительной способности в два раза, что обусловлено уменьшением влияния поверхностных токов утечки. Быстродействие полученных фотоприемников варьируется в диапазоне 1-300 нс и позволяет при малом значении емкости применять их в системах оптической связи по открытому атмосферному каналу. Для приборов с малой площадью фоточувствительной площадки 0,1-0,3 мм в целях уменьшения емкости была разработана специальная топология фотоприемников.

This work is devoted to the manufacturing technology development of photodetectors with different diameters photosensitive area 0,1-2,0 mm based on heterostructures grown by MOCVD InAs/InAsSbP. It aims to creating a high-performance photodiodes for spectral range 1,5-3,8 mkm. This paper presents the research results devices characteristics. Distinctive features of the photodetectors are a high detectivity which reaches value D*(λmax,1000,1)=(0,6-1,2)·1010 cm·Hz1/2/W at T=300 K with maximum range λ=3,0-3,4 mkm, high monochromatic current sensitivity to Sλ=1,6 A/W. When increasing the diameter of the photosensitive area in range 0,1-2,0 mm the specific detectivity increases twofold due to decrease of the surface leakage current effect. High-mobility of the obtained photodetectors varies 1-300 ns range with small values of capacitance and allows to used them in an open atmospheric channel for optical communication systems. It was designed a special topology photodetectors for appliances with a small area of photosensitive surface 0,1-0,3 mm to reduce their capacity.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous
  • Введение
  • Глава 1. Фотоприемники для спектрального диапазона 1,5-3,8 мкм (Литературный обзор)
  • 1.1. Материалы для создания фотоприемников
  • 1.2. Эпитаксиальные методы создания гетероструктры InAs/InAsSbP
  • 1.3. Постростовая технология
  • 1.4. Фотоприемники на p-n гетероструктуре
  • 1.5. Характеристики фотоприемников
  • Глава 2. Технология создания фотоприемников с разными диаметрами фоточувствительной площадки 0,1-2,0 мм на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP
  • 2.1. Газофазная эпитаксия InAs/InAsSbP
  • 2.2. Создание омического контакта методом взрывной фотолитографии
  • 2.3. Утолщение омического контакта методом локального электрохимического осаждения золота
  • 2.4. Травление мезаструктуры
  • 2.5. Создание разделительных канавок
  • 2.6. Создание сплошного тыльного контакта
  • Глава 3. Фотоэлектрические свойства фотоприемников на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP
  • 3.1. Спектральные характеристики гетерофотодиодов на основе InAs/InAsSbP
  • 3.2. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики
  • 3.3. Зависимость фотоэлектрических характеристик фотодиодов от площади p-n-структуры
  • Заключение
  • Список публикаций по теме диплома
  • Список литературы

Access count: 350 
Last 30 days: 1

Detailed usage statistics