С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Исследование вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик гетеропереходов Si/ZnxCd1 – xTe с различным содержанием Zn в плёнке твёрдого раствора: бакалаврская работа: 11.03.04
Creators: Шихалеев Дмитрий Александрович
Scientific adviser: Зыков Валерий Андреевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2016
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: гетеропереходы; тонкие пленки (микроэлектроника); гетероструктуры; фотоэлектрические свойства; heterojunctions; thin films (microelectronics); heterostructures; the photovoltaic properties
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-361
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Работа посвящена изготовлению гетероструктур Si/ZnxCd1-xTe с различным содержанием Zn, и влиянию на фотоэлектрические свойства. Особое внимание уделяется условиям напыления твёрдого раствора. Успешно были получены плёнки в диапазоне температур с различным содержанием Zn. Обоснована методика напыления плёнок. Приведены изображения полученных структур и их анализ. Детали процесса роста были проанализированы. Представлены структурные, оптические и электрофизические характеристики плёнок, полученных с помощью этого метода. Однако выбранные условия напыления не позволили получить плёнки с хорошей фоточувствительностью.

The main purpose of this paper is to the manifacture of heterstructures Si/ZnxCd1-xTe with different content of Zn and its influence on the photovoltaic properties. Special Attention is paid to sublimation conditions. Films is successfully obtained in a variety of temperatures with different contents of Zn. The technique of manufacturing structures is substantiated. Images of the obtained structures and their analysis are presented. The details of the growth process were analyzed. The structural, optical and electrical characteristics of the films obtained by this technique are presented. However, the selected conditions of deposition did not allow to obtain films with good photosensitivity.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print
Internet Authorized users Read Print
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • Обзор литературы
    • Введение
    • Солнечное излучение
    • Материалы для формирования солнечных элементов
    • Фотовольтаические методы преобразования солнечной энергии в электрическую
    • Механизмы поглощения света
    • Солнечные элементы с гетеропереходами
    • Гетеропереходы на основе CdTe
    • Гетеропереходы на Si/ZnxCd1-xTe
    • Постановка задачи
  • Методика эксперимента
    • Общие сведения о получении плёнок AIIBVI
    • Общие принципы нанесения плёнок в КЗО
    • Описание процесса конденсации и массопереноса
  • Результаты эксперимента и их обсуждение
    • Выращивание плёнок ZnxCd1-xTe на кремниевой подложке
    • Анализ структуры ZnxCd1-xTe на (100)Si подложке
    • Анализ химического состава плёнки
    • Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур Si/ZnxCd1-xTe
    • Обобщение результатов
  • Выводы
  • Литература

Usage statistics

stat Access count: 249
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics