Детальная информация

Название: Исследование вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик гетеропереходов Si/ZnxCd1 – xTe с различным содержанием Zn в плёнке твёрдого раствора: бакалаврская работа: 11.03.04
Авторы: Шихалеев Дмитрий Александрович
Научный руководитель: Зыков Валерий Андреевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2016
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: гетеропереходы; тонкие пленки (микроэлектроника); гетероструктуры; фотоэлектрические свойства; heterojunctions; thin films (microelectronics); heterostructures; the photovoltaic properties
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.03.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-361
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Работа посвящена изготовлению гетероструктур Si/ZnxCd1-xTe с различным содержанием Zn, и влиянию на фотоэлектрические свойства. Особое внимание уделяется условиям напыления твёрдого раствора. Успешно были получены плёнки в диапазоне температур с различным содержанием Zn. Обоснована методика напыления плёнок. Приведены изображения полученных структур и их анализ. Детали процесса роста были проанализированы. Представлены структурные, оптические и электрофизические характеристики плёнок, полученных с помощью этого метода. Однако выбранные условия напыления не позволили получить плёнки с хорошей фоточувствительностью.

The main purpose of this paper is to the manifacture of heterstructures Si/ZnxCd1-xTe with different content of Zn and its influence on the photovoltaic properties. Special Attention is paid to sublimation conditions. Films is successfully obtained in a variety of temperatures with different contents of Zn. The technique of manufacturing structures is substantiated. Images of the obtained structures and their analysis are presented. The details of the growth process were analyzed. The structural, optical and electrical characteristics of the films obtained by this technique are presented. However, the selected conditions of deposition did not allow to obtain films with good photosensitivity.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ)
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • Обзор литературы
    • Введение
    • Солнечное излучение
    • Материалы для формирования солнечных элементов
    • Фотовольтаические методы преобразования солнечной энергии в электрическую
    • Механизмы поглощения света
    • Солнечные элементы с гетеропереходами
    • Гетеропереходы на основе CdTe
    • Гетеропереходы на Si/ZnxCd1-xTe
    • Постановка задачи
  • Методика эксперимента
    • Общие сведения о получении плёнок AIIBVI
    • Общие принципы нанесения плёнок в КЗО
    • Описание процесса конденсации и массопереноса
  • Результаты эксперимента и их обсуждение
    • Выращивание плёнок ZnxCd1-xTe на кремниевой подложке
    • Анализ структуры ZnxCd1-xTe на (100)Si подложке
    • Анализ химического состава плёнки
    • Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур Si/ZnxCd1-xTe
    • Обобщение результатов
  • Выводы
  • Литература

Статистика использования

stat Количество обращений: 11
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика