Electronic Documents Search

Documents found: 12

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 2. — С. 102-133

Creators	Федоров В. В.; Федина С. В.; Кавеев А. К.; Кириленко Д. А.; Фалеев Н. Н.; Мухин И. С.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика твердого тела. Кристаллография в целом; фосфид галлия; буферные слои фосфида галлия; однодоменные слои; кремниевые подложки; эпитаксия с повышенной миграцией; гетероструктуры; молекулярно-пучковая эпитаксия; gallium phosphide; buffer layers of gallium phosphide; single-domain layers; silicon substrates; epitaxy with increased migration; heterostructures; molecular beam epitaxy
UDC	539.2
LBC	22.37
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.17209
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 2.7 Mb

Оптические свойства квантовых точек InGaP(As) в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs // Оптический журнал: научно-технический журнал. – 2024. – № 6. — С. 30-38

Creators	Андрюшкин В. В.; Новиков И. И.; Гладышев А. Г.; Бабичев А. В.; Неведомский В. Н.; Папылев Д. С.; Колодезный Е. С.; Карачинский Л. Я.; Егоров А. Ю.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; квантовые точки; полупроводниковые квантовые точки; оптические свойства; гетероструктуры; фотолюминесценция; молекулярно-пучковая эпитаксия; полупроводники; quantum dots; semiconductor quantum dots; optical properties; heterostructures; photoluminescence; molecular beam epitaxy; semiconductors
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2024-91-06-30-38
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/13873662/viewer?udb=12&page=32

Электрофизические свойства метаморфных структур с КЯ InAs/In₀.₇₅Ga₀.₂₅As/In₀.₇₅Al₀.₂₅As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии: магистерская диссертация: 16.04.01

Creators	Ганбарова Татьяна Шахиновна
Scientific adviser	Рыков Сергей Александрович; Комиссарова Татьяна Александровна
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint	Санкт-Петербург, 2017
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	Индий, арсениды; Фотопроводимость; Полупроводниковые гетеропереходы; метаморфные структуры; молекулярно-пучковая эпитаксия; электрофизические свойства
UDC	537.311.322(043.3); 621.383.011.2(043.3)
Document type	Master graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Master
Speciality code (FGOS)	16.04.01
Speciality group (FGOS)	160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI	10.18720/SPBPU/2/v17-2768
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 2.3 Mb

Исследование структуры слоев GaAs в гетерокомпозициях GaAs/Ge/GaAs методами просвечивающей электронной микроскопии // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 5. — С. 559-574

Creators	Сазонов В. А.; Боргардт Н. И.; Приходько А. С.; Казаков И. П.; Клековкин А. В.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях; арсенид галлия; топологические изоляторы; кристаллическое строение; электронная микроскопия; просвечивающая электронная микроскопия; молекулярно-пучковая эпитаксия; дефекты кристаллических структур; gallium arsenide; topological insulators; crystal structure; electron microscopy; transmission electron microscopy; molecular beam epitaxy; defects in crystal structures
UDC	537.533/534
LBC	22.338
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-5-559-574
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=72753280

Моделирование процессов роста гетероструктур в установке молекулярно-пучковой эпитаксии Riber49 // XXXVI неделя науки СПбГПУ: материалы Всероссийской межвуз. науч.-техн. конф. студентов и аспирантов, 26 ноября - 1 декабря 2007 г. Санкт-Петербург. – 2009. – Физико-механический факультет. Физико-технический факультет. Факультет медицинской физики и биоинженерии. — Ч. 4

Creators	Румянцев О. И.; Тонких А. А.
Other creators	Рудской Андрей Иванович; Арсеньев Д. Г.; Глухов Владимир Викторович
Organization	Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов
Imprint	СПб.: Изд-во СПбГПУ, 2009
Collection	Общая коллекция
Subjects	молекулярно-пучковая эпитаксия; GaAs; Кнудсеновская модель испарения
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 102 Kb

Влияние режима формирования покровного слоя на фотолюминесценцию квантовых точек арсенида индия InAs в кремнии // Оптический журнал. – 2025. – № 4. — С. 14-21

Creators	Лендяшова В. В.; Илькив И. В.; Талалаев В. Г.; Шугабаев Т.; Резник Р. Р.; Цырлин Г. Э.
Imprint	2025
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; арсенид индия; квантовые точки; фотолюминесценция; молекулярно-пучковая эпитаксия; полупроводники; кремний; гетероструктуры; люминесцентные характеристики; india arsenide; quantum dots; photoluminescence; molecular beam epitaxy; semiconductors; silicon; heterostructures; luminescent characteristics
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2025-92-04-14-21
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/15689182/viewer?udb=12&page=16

Время-разрешенные фотолюминисцентные исследования InAs/GaAs квантовых точек, выращенных на разориентированных подложках // Материалы...26 ноября - 1 декабря 2001 года. – 2002. – Факультет технологии и исследования материалов и физико-технический факультет. — Ч.6

Creators	Школьник А. С.; Евтихиев В. П.
Other creators	Глухов Владимир Викторович
Organization	Санкт-Петербургский государственный технический университет. Межвузовская научная конференция, Юбилейная неделя науки (30; 2001; Санкт-Петербург); Совет СПбГТУ по научно-исследовательской работе студентов
Imprint	Санкт-Петербург, 2002
Collection	Общая коллекция
Subjects	фотолюминисцентные исследования; InAs/GaAs; молекулярно-пучковая эпитаксия; метод Странского-Крастанова; квантовые точки
UDC	621.324
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 117 Kb

Проблемы роста массивов упорядоченных квантовых точек CdSe/BeTe // Материалы...26 ноября - 1 декабря 2001 года. – 2002. – Факультет технологии и исследования материалов и физико-технический факультет. — Ч.6

Creators	Солнышков Д. Д.; Иванов С. В.
Other creators	Глухов Владимир Викторович
Organization	Санкт-Петербургский государственный технический университет. Межвузовская научная конференция, Юбилейная неделя науки (30; 2001; Санкт-Петербург); Совет СПбГТУ по научно-исследовательской работе студентов
Imprint	Санкт-Петербург, 2002
Collection	Общая коллекция
Subjects	выращивание; молекулярно-пучковая эпитаксия; сверхрешетки
UDC	621.312
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 108 Kb

Ширина линии излучения одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 mum, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин // Оптика и спектроскопия. – 2023. – Т. 131, № 11. — С. 1486-1489

Creators	Ковач Я. Н.; Блохин С. А.; Бобров М. А.; Блохин А. А.; Малеев Н. А.; Кузьменков А. Г.; Бабичев А. В.; Новиков И. И.; Карачинский Л. Я.; Колодезный Е. С.; Воропаев К. О.; Егоров А. Ю.; Устинов В. М.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физическая оптика; вертикально-излучающие лазеры; одномодовые лазеры; ширина линий излучения; лазеры спектрального диапазона; молекулярно-пучковая эпитаксия; технологии спекания пластин; квантовые ямы; лазерные генерации
UDC	535.2/3
LBC	22.343
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.61011/OS.2023.11.57008.5135-23
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=60019303

Исследование процессов синтеза GaAs нитевидных нанокристаллов с использованием коллоидных наночастиц золота: магистерская диссертация: 16.04.01

Creators	Илькив Игорь Владимирович
Scientific adviser	Буравлев Алексей Дмитриевич
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint	Санкт-Петербург, 2016
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	Галлий, арсенид; Полупроводники — Кристаллы - Получение; Наноструктурные материалы; Полупроводниковые пленки — Получение; молекулярно-пучковая эпитаксия; molecular beam epitaxy
UDC	620.22-022.53:548.7(043.3); 539.23:621.315.592(043.3)
Document type	Master graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Master
Speciality code (FGOS)	16.04.01
Speciality group (FGOS)	160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI	10.18720/SPBPU/2/v16-2777
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 2.2 Mb