Details
| Title | Электрофизические свойства метаморфных структур с КЯ InAs/In₀.₇₅Ga₀.₂₅As/In₀.₇₅Al₀.₂₅As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии: магистерская диссертация: 16.04.01 |
|---|---|
| Creators | Ганбарова Татьяна Шахиновна |
| Scientific adviser | Рыков Сергей Александрович ; Комиссарова Татьяна Александровна |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2017 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | Индий, арсениды ; Фотопроводимость ; Полупроводниковые гетеропереходы ; метаморфные структуры ; молекулярно-пучковая эпитаксия ; электрофизические свойства |
| UDC | 537.311.322(043.3) ; 621.383.011.2(043.3) |
| Document type | Master graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Master |
| Speciality code (FGOS) | 16.04.01 |
| Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v17-2768 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\40246 |
| Record create date | 8/24/2017 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
Исследованы электрические свойства метаморфных гетероструктур с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As и InAs/In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As, выращенными методом МПЭ, в зависимости от их конструкции и условий роста. Максимальные значения подвижности электронов в исследованных структурах составили 85 200 см2/Вс при 77К и 17 500 см2/Вс при 300К. Обнаружен эффект задержанной фотопроводимости, связанный с локализацией носителей заряда на флуктуациях потенциального рельефа КЯ и в In-обогащенных областях высокотемпературных барьеров и КЯ. Обнаружено, что проводимость таких структур определяется двумя каналами: вблизи нижнего и верхнего интерфейсов КЯ.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
- Оглавление
- Глава 1. Литературный обзор
- 1.1. Основные свойства арсенида индия
- 1.2. Гетероструктуры InxGa1-xAs/InxAl1-xAs и InAs/InxGa1-xAs/InxAl1-xAs с двумерным электронным газом
- 1.2.1. Гетеропереходы InGaAs/InAlAs и InAs/InGaAs
- 1.2.2. Псевдоморфные гетероструктуры InxGa1-xAs/InxAl1-xAs.
- 1.2.3. Метаморфный буферный слой
- 1.2.4. Метаморфные гетероструктуры с КЯ InxGa1-xAs/InxAl1-xAs
- 1.2.5. Метаморфные гетероструктуры с КЯ InAs/InxGa1-xAs/InxAl1-xAs
- ГЛАВА 2. Методика эксперимента
- 2.1. Исследованные образцы
- 2.2. Методы исследования
- 2.2.1. Электрофизические измерения
- ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты и их обсуждение
- 3.1. Зависимость электрических свойств гетероструктур In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As от конструкции и условий роста метаморфного буферного слоя
- 3.2. Эффект задержанной фотопроводимости в гетероструктурах с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As
- 3.3. Влияние условий роста активной области гетероструктур с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As на их свойства
- 3.4. Зависимость электрических и оптических свойств структур с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As от их конструкции.
- Это связано, по-видимому, с тем, что в случае узкой КЯ уж нельзя говорить от разделении вкладов от нижнего и верхнего интерфейсов КЯ, в данном случае речь идет о неком «усредненном» канале проводимости, на подвижность электронов в котором оказывает си...
- ГЛАВА 4. Основные результаты и выводы
- Список литературы
Access count: 616
Last 30 days: 0
