?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Электрофизические свойства метаморфных структур с КЯ InAs/In₀.₇₅Ga₀.₂₅As/In₀.₇₅Al₀.₂₅As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии: магистерская диссертация: 16.04.01
Creators: Ганбарова Татьяна Шахиновна
Scientific adviser: Рыков Сергей Александрович; Комиссарова Татьяна Александровна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2017
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Индий, арсениды; Фотопроводимость; Полупроводниковые гетеропереходы; метаморфные структуры; молекулярно-пучковая эпитаксия; электрофизические свойства
UDC: 537.311.322(043.3); 621.383.011.2(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 16.04.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-2768
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Additionally: All documents
Record key: RU\SPSTU\edoc\40246

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Исследованы электрические свойства метаморфных гетероструктур с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As и InAs/In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As, выращенными методом МПЭ, в зависимости от их конструкции и условий роста. Максимальные значения подвижности электронов в исследованных структурах составили 85 200 см2/Вс при 77К и 17 500 см2/Вс при 300К. Обнаружен эффект задержанной фотопроводимости, связанный с локализацией носителей заряда на флуктуациях потенциального рельефа КЯ и в In-обогащенных областях высокотемпературных барьеров и КЯ. Обнаружено, что проводимость таких структур определяется двумя каналами: вблизи нижнего и верхнего интерфейсов КЯ.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • Оглавление
  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1.1. Основные свойства арсенида индия
    • 1.2. Гетероструктуры InxGa1-xAs/InxAl1-xAs и InAs/InxGa1-xAs/InxAl1-xAs с двумерным электронным газом
      • 1.2.1. Гетеропереходы InGaAs/InAlAs и InAs/InGaAs
      • 1.2.2. Псевдоморфные гетероструктуры InxGa1-xAs/InxAl1-xAs.
      • 1.2.3. Метаморфный буферный слой
      • 1.2.4. Метаморфные гетероструктуры с КЯ InxGa1-xAs/InxAl1-xAs
      • 1.2.5. Метаморфные гетероструктуры с КЯ InAs/InxGa1-xAs/InxAl1-xAs
  • ГЛАВА 2. Методика эксперимента
    • 2.1. Исследованные образцы
    • 2.2. Методы исследования
      • 2.2.1. Электрофизические измерения
  • ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты и их обсуждение
  • 3.1. Зависимость электрических свойств гетероструктур In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As от конструкции и условий роста метаморфного буферного слоя
    • 3.2. Эффект задержанной фотопроводимости в гетероструктурах с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As
    • 3.3. Влияние условий роста активной области гетероструктур с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As на их свойства
    • 3.4. Зависимость электрических и оптических свойств структур с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As от их конструкции.
    • Это связано, по-видимому, с тем, что в случае узкой КЯ уж нельзя говорить от разделении вкладов от нижнего и верхнего интерфейсов КЯ, в данном случае речь идет о неком «усредненном» канале проводимости, на подвижность электронов в котором оказывает си...
  • ГЛАВА 4. Основные результаты и выводы
  • Список литературы

Usage statistics

stat Access count: 616
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics