Детальная информация

Название: Электрофизические свойства метаморфных структур с КЯ InAs/In₀.₇₅Ga₀.₂₅As/In₀.₇₅Al₀.₂₅As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии: магистерская диссертация: 16.04.01
Авторы: Ганбарова Татьяна Шахиновна
Научный руководитель: Рыков Сергей Александрович; Комиссарова Татьяна Александровна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2017
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Индий, арсениды; Фотопроводимость; Полупроводниковые гетеропереходы; метаморфные структуры; молекулярно-пучковая эпитаксия; электрофизические свойства
УДК: 537.311.322(043.3); 621.383.011.2(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 16.04.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-2768
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Исследованы электрические свойства метаморфных гетероструктур с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As и InAs/In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As, выращенными методом МПЭ, в зависимости от их конструкции и условий роста. Максимальные значения подвижности электронов в исследованных структурах составили 85 200 см2/Вс при 77К и 17 500 см2/Вс при 300К. Обнаружен эффект задержанной фотопроводимости, связанный с локализацией носителей заряда на флуктуациях потенциального рельефа КЯ и в In-обогащенных областях высокотемпературных барьеров и КЯ. Обнаружено, что проводимость таких структур определяется двумя каналами: вблизи нижнего и верхнего интерфейсов КЯ.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ)
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • Оглавление
  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1.1. Основные свойства арсенида индия
    • 1.2. Гетероструктуры InxGa1-xAs/InxAl1-xAs и InAs/InxGa1-xAs/InxAl1-xAs с двумерным электронным газом
      • 1.2.1. Гетеропереходы InGaAs/InAlAs и InAs/InGaAs
      • 1.2.2. Псевдоморфные гетероструктуры InxGa1-xAs/InxAl1-xAs.
      • 1.2.3. Метаморфный буферный слой
      • 1.2.4. Метаморфные гетероструктуры с КЯ InxGa1-xAs/InxAl1-xAs
      • 1.2.5. Метаморфные гетероструктуры с КЯ InAs/InxGa1-xAs/InxAl1-xAs
  • ГЛАВА 2. Методика эксперимента
    • 2.1. Исследованные образцы
    • 2.2. Методы исследования
      • 2.2.1. Электрофизические измерения
  • ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты и их обсуждение
  • 3.1. Зависимость электрических свойств гетероструктур In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As от конструкции и условий роста метаморфного буферного слоя
    • 3.2. Эффект задержанной фотопроводимости в гетероструктурах с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As
    • 3.3. Влияние условий роста активной области гетероструктур с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As на их свойства
    • 3.4. Зависимость электрических и оптических свойств структур с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As от их конструкции.
    • Это связано, по-видимому, с тем, что в случае узкой КЯ уж нельзя говорить от разделении вкладов от нижнего и верхнего интерфейсов КЯ, в данном случае речь идет о неком «усредненном» канале проводимости, на подвижность электронов в котором оказывает си...
  • ГЛАВА 4. Основные результаты и выводы
  • Список литературы

Статистика использования

stat Количество обращений: 148
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика