Electronic Documents Search

Documents found: 10

Ионное легирование карбида кремния в технологии приборов силовой электроники: обзор // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2022. – Т. 27, № 4. — С. 439-462

Creators	Афанасьев А. В.; Ильин В. А.; Лучинин В. В.
Imprint	2022
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; карбид кремния; ионное легирование; силовая электроника; приборы силовой электроники; обзоры; ионная имплантация; активационный отжиг; silicon carbide; ion doping; power electronics; power electronics devices; reviews; ion implantation; activation annealing
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2022-27-4-439-462
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=49396190

Влияние условий формирования и отжига на параметры Pt/InAlAs барьеров Шоттки // Оптический журнал: научно-технический журнал. – 2024. – № 2. — С. 34-39

Creators	Гензе И. Ю.; Аксенов М. С.; Парамонова М. А.; Дмитриев Д. В.; Варавин В. С.; Журавлёв К. С.
Organization	"Фотоника-2023", российская конференция и школа молодых учёных
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; барьеры Шоттки; Шоттки барьеры; параметры барьеров (энергетика); отжиг; ионная очистка; вольтамперные характеристики; термоэлектронная эмиссия; Schottky barriers; barriers Schottky; barrier parameters (energy); annealing; ion cleaning; volt ampere characteristics; thermionic emission
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2024-91-02-34-39
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=37

Легирование Zn эпитаксиальных слоёв InAlAs и InP из планарного источника Zn[3]P[2] // Оптический журнал: научно-технический журнал. – 2024. – № 2. — С. 40-49

Creators	Петрушков М. О.; Аксенов М. С.; Богомолов Д. Б.; Емельянов Е. А.; Протасов Д. Ю.; Путято М. А.; Чистохин И. Б.; Преображенский В. В.; Гилинский А. М.; Воропаев К. О.
Organization	"Фотоника-2023", российская конференция и школа молодых учёных
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; эпитаксиальные слои; легирование цинком; планарные источники; диффузия легирующей примеси; лавинные фотодиоды; вольт-фарадное профилирование; термический отжиг; epitaxial layers; zinc alloying; planar sources; diffusion of dopant; avalanche photodiodes; volt-farad profiling; thermal annealing
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2024-91-02-40-49
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=43

Оптические свойства квантовых точек InGaP(As) в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs // Оптический журнал: научно-технический журнал. – 2024. – № 6. — С. 30-38

Creators	Андрюшкин В. В.; Новиков И. И.; Гладышев А. Г.; Бабичев А. В.; Неведомский В. Н.; Папылев Д. С.; Колодезный Е. С.; Карачинский Л. Я.; Егоров А. Ю.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; квантовые точки; полупроводниковые квантовые точки; оптические свойства; гетероструктуры; фотолюминесценция; молекулярно-пучковая эпитаксия; полупроводники; quantum dots; semiconductor quantum dots; optical properties; heterostructures; photoluminescence; molecular beam epitaxy; semiconductors
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2024-91-06-30-38
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/13873662/viewer?udb=12&page=32

Температурная характеризация соединительных туннельных диодов GaAs/AlGaAs // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2023. – Т. 16, № 4. — С. 30-41

Creators	Контрош Е. В.; Калиновский В. С.; Климко Г. В.; Бер Б. Я.; Прудченко К. К.; Толкачев И. А.; Казанцев Д. Ю.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; диоды; туннельные диоды (энергетика); соединительные туннельные диоды; температурная характеризация; вольтамперные характеристики; эпитаксиальные слои; дифференциальное сопротивление; diodes; tunnel diodes (energy); connecting tunnel diodes; temperature characterization; A volt ampere characteristics; epitaxial layers; differential resistance
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.16403
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.7 Mb

Численное моделирование резонансно-туннельных структур на основе барьера Шоттки и гетероперехода GaAs/AlGaAs // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2018. – Т. 11, № 1

Creators	Абросимов Александр Сергеевич; Агарев Владимир Николаевич
Organization	Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2018
Collection	Общая коллекция
Subjects	Полупроводниковые материалы и изделия; Энергетика; резонансно-туннельные структуры; барьер Шоттки; Шоттки барьер; гетеропереходы; вольт-амперные характеристики; numerical simulation; resonance-tunnel structures; barrier Schottky; Schottky barrier; heterojunctions; численное моделирование; volt-ampere characteristics
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.11101
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.9 Mb

Структура тонких пленок ZnTPP и ZnTPP-С[60] и влияние ренгеновского излучения на их фотолюминесценцию // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2018. – Т. 11, № 2

Creators	Романов Николай Михайлович; Захарова Ирина Борисовна; Елистратова Марина Анатольевна; Лахдеранта Эркки
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН; Лаппеенрантский технологический университет
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2018
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; фотолюминесценция; тонкие пленки; структура тонких пленок; рентгеновское излучение; нанокомпозиты; металлопорфирин; photoluminescence; thin film; structure of thin films; roentgen radiation; nanocomposites; metalloporphyrin
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.11203
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.3 Mb

Зависимость диэлектрической проницаемости монокристалла PMN (111) от толщины // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2023. – Т. 16, № 1. — С. 16-23

Creators	Вакуленко А. Ф.; Вахрушев С. Б.; Королева Е. Ю.; Васильева Е. А.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика твердого тела. Кристаллография в целом; Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; монокристаллы; диэлектрическая проницаемость; толщина монокристаллов; сегнетоэлектрики; релаксоры; магнониобат свинца; температурные зависимости; single crystals; dielectric constant; thickness of single crystals; ferroelectrics; relaxors; lead magnoniobate; temperature dependencies
UDC	539.2; 621.315.592
LBC	22.37; 31.233
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.16102
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.4 Mb

Исследование ряда электрофизических свойств полупроводниковых накопителей видеоинформации на основе селена и оксида свинца // Глобальная энергия. – 2023. – Т. 29, № 2. — С. 150-161

Creators	Блинов Л. Н.; Крылов Н. И.; Полякова В. В.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; полупроводниковые накопители; электрофизические свойства; видеоинформация; тонкие слои селена; тонкие слои оксида свинца; стеклообразные полупроводники; semiconductor drives; electrophysical properties; video information; thin layers of selenium; thin layers of lead oxide; glassy semiconductors
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JEST.29210
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.4 Mb

Влияние режима формирования покровного слоя на фотолюминесценцию квантовых точек арсенида индия InAs в кремнии // Оптический журнал. – 2025. – № 4. — С. 14-21 New arrival!

Creators	Лендяшова В. В.; Илькив И. В.; Талалаев В. Г.; Шугабаев Т.; Резник Р. Р.; Цырлин Г. Э.
Imprint	2025
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; арсенид индия; квантовые точки; фотолюминесценция; молекулярно-пучковая эпитаксия; полупроводники; кремний; гетероструктуры; люминесцентные характеристики; india arsenide; quantum dots; photoluminescence; molecular beam epitaxy; semiconductors; silicon; heterostructures; luminescent characteristics
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2025-92-04-14-21
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/15689182/viewer?udb=12&page=16