Details

Title: Численное моделирование резонансно-туннельных структур на основе барьера Шоттки и гетероперехода GaAs/AlGaAs // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2018. – Т. 11, № 1
Creators: Абросимов Александр Сергеевич; Агарев Владимир Николаевич
Organization: Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Imprint: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2018
Collection: Общая коллекция
Subjects: Полупроводниковые материалы и изделия; Энергетика; резонансно-туннельные структуры; барьер Шоттки; Шоттки барьер; гетеропереходы; вольт-амперные характеристики; numerical simulation; resonance-tunnel structures; barrier Schottky; Schottky barrier; heterojunctions; численное моделирование; volt-ampere characteristics
UDC: 621.315.592
LBC: 31.233
Document type: Article, report
File type: Other
Language: Russian
DOI: 10.18721/JPM.11101
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\60843

Allowed Actions: Read Download (0.9 Mb)

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Предложена двухбарьерная резонансно-туннельная структура, состоящая из барьера Шоттки и гетероперехода GaAs/AlGaAs, и рассмотрено ее возможное применение для резонансно-туннельных диодов, работающих при комнатной температуре. Методами численного моделирования произведена оптимизация конфигурации данной структуры. На примере оптимизированной структуры выполнено моделирование вольт-амперной характеристики (ВАХ) и проведен анализ влияния теплового тока на полученную зависимость.

The resonance tunneling diode has been widely studied because of its importance in the field of nanoelectronic technology and its potential applications in very high speed/functionality devices and circuits. Even though much progress has been made in this regard, the most popular structure of these diods consists of barriers created by heterojunctions only. In this paper, we present numerical simulation results for a two-barrier resonance-tunnel structure consisting of the Schottky barrier and a GaAs/AlGaAs heterojunction. We considered its potential application to the resonance-tunnel diodes working at room temperature. The configuration of this structure was optimized using numerical simulation methods. A current voltage characteristic was simulated by the example of the optimized structure, and the influence of the thermal current on the obtained dependence was analyzed.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Usage statistics

stat Access count: 326
Last 30 days: 8
Detailed usage statistics