Electronic Documents Search

Documents found: 1

1

Численное моделирование резонансно-туннельных структур на основе барьера Шоттки и гетероперехода GaAs/AlGaAs // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2018. – Т. 11, № 1

Creators	Абросимов Александр Сергеевич; Агарев Владимир Николаевич
Organization	Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2018
Collection	Общая коллекция
Subjects	Полупроводниковые материалы и изделия; Энергетика; резонансно-туннельные структуры; барьер Шоттки; Шоттки барьер; гетеропереходы; вольт-амперные характеристики; numerical simulation; resonance-tunnel structures; barrier Schottky; Schottky barrier; heterojunctions; численное моделирование; volt-ampere characteristics
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.11101
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.9 Mb

1