Детальная информация
Название | Анализ причин аномального повышения емкости пленок фуллерита С[60] на низких частотах // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2021. – Т. 14, № 2. — С. 28-37 |
---|---|
Авторы | Долженко Д. И. ; Захарова И. Б. ; Сударь Н. Т. |
Выходные сведения | 2021 |
Коллекция | Общая коллекция |
Тематика | Физика ; Электростатика ; фуллериты ; низкие частоты ; пленки фуллеритов ; емкость пленок ; аномальное повышение емкости ; диэлектрическая проницаемость ; поликристаллические пленки ; fullerites ; low frequencies ; fullerite films ; film capacity ; abnormal increase in capacity ; permittivity ; barium titanate |
УДК | 537.2 |
ББК | 22.331 |
Тип документа | Статья, доклад |
Тип файла | |
Язык | Русский |
DOI | 10.18721/JPM.14203 |
Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\67182 |
Дата создания записи | 06.09.2021 |
Известный экспериментальный факт аномального возрастания диэлектрической проницаемости эпсилон пленок фуллерита C[60] на низких частотах (ниже 1 кГц) переменного электрического тока не имеет до настоящего времени убедительного объяснения. Данное исследование было нацелено на выяснение причин указанной аномалии. Была изготовлена структура p-Si/C[60]/эвтектика InGa и измерена частотная зависимость ее емкости. На основании полученных экспериментальных данных проведен многосторонний анализ явления. Показано, что возможной причиной аномального повышения эпсилон в низкочастотной области является интеркаляция фуллерита молекулами кислорода с образованием молекулярных групп C[60]/О[2], обладающих значительным дипольным моментом. Наличие таких групп вызывает кардинальное различие между значениями диэлектрической проницаемости поверхностных областей кристаллитов и таковой для области их объема, что, в свою очередь, приводит к кажущемуся подъему диэлектрической проницаемости исследуемой структуры.
A known physical fact of the anomalous rise of dielectric permittivity epsilon of C[60] fullerite films at ac low frequencies (below 1 kHz) has not had a convincing explanation up to now. Our study was aimed at elucidating the causes of that anomaly. The p-Si/C[60]/InGa-eutectic structure was made and a frequency dependence of its capacitance was measured. Relying on the experimental result, a versatile analysis of the phenomenon was carried out. It was shown that the anomalous rise of epsilon value in the low-frequency region resulted from oxygen intercalation of fullerite with formation of C[60]/O[2] molecular groups exhibited significant dipole momenta. The presence of such groups produced a dramatic difference between dielectric permittivity of the crystallites’ surface areas and that of their volumes. As a result, the difference led to an apparent increase in the dielectric permittivity epsilon of the structure under study.
Количество обращений: 309
За последние 30 дней: 14