Details

Title: Анализ причин аномального повышения емкости пленок фуллерита С[60] на низких частотах // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2021. – Т. 14, № 2. — С. 28-37
Creators: Долженко Д. И.; Захарова И. Б.; Сударь Н. Т.
Imprint: 2021
Collection: Общая коллекция
Subjects: Физика; Электростатика; фуллериты; низкие частоты; пленки фуллеритов; емкость пленок; аномальное повышение емкости; диэлектрическая проницаемость; поликристаллические пленки; fullerites; low frequencies; fullerite films; film capacity; abnormal increase in capacity; permittivity; barium titanate
UDC: 537.2
LBC: 22.331
Document type: Article, report
File type: PDF
Language: Russian
DOI: 10.18721/JPM.14203
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions: Read Download (397 Kb)

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Известный экспериментальный факт аномального возрастания диэлектрической проницаемости эпсилон пленок фуллерита C[60] на низких частотах (ниже 1 кГц) переменного электрического тока не имеет до настоящего времени убедительного объяснения. Данное исследование было нацелено на выяснение причин указанной аномалии. Была изготовлена структура p-Si/C[60]/эвтектика InGa и измерена частотная зависимость ее емкости. На основании полученных экспериментальных данных проведен многосторонний анализ явления. Показано, что возможной причиной аномального повышения эпсилон в низкочастотной области является интеркаляция фуллерита молекулами кислорода с образованием молекулярных групп C[60]/О[2], обладающих значительным дипольным моментом. Наличие таких групп вызывает кардинальное различие между значениями диэлектрической проницаемости поверхностных областей кристаллитов и таковой для области их объема, что, в свою очередь, приводит к кажущемуся подъему диэлектрической проницаемости исследуемой структуры.

A known physical fact of the anomalous rise of dielectric permittivity epsilon of C[60] fullerite films at ac low frequencies (below 1 kHz) has not had a convincing explanation up to now. Our study was aimed at elucidating the causes of that anomaly. The p-Si/C[60]/InGa-eutectic structure was made and a frequency dependence of its capacitance was measured. Relying on the experimental result, a versatile analysis of the phenomenon was carried out. It was shown that the anomalous rise of epsilon value in the low-frequency region resulted from oxygen intercalation of fullerite with formation of C[60]/O[2] molecular groups exhibited significant dipole momenta. The presence of such groups produced a dramatic difference between dielectric permittivity of the crystallites’ surface areas and that of their volumes. As a result, the difference led to an apparent increase in the dielectric permittivity epsilon of the structure under study.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Usage statistics

stat Access count: 25
Last 30 days: 5
Detailed usage statistics