В работе исследуется высокотемпературная структура хаотического потенциала (ХП) в гетероконтактах III-нитридов, обусловленного электростатическим полем заряженных дислокаций. С учетом пространственной дисперсии диэлектрического отклика двумерного электронного газа определена амплитуда ХП в плоскости контакта. Показана зависимость свойств ХП от параметров системы. В частности, при наличии невырожденного двумерного электронного газа в гетероконтактах III-нитридов и плотности дислокаций 10{10} см{–2} и более, величина амплитуды ХП превышает значение тепловой энергии.

The paper studies the high-temperature structure of a chaotic potential (CP) induced in heterojunctions of the group III nitrides by the electrostatic field of charged dislocations. The CP amplitude in the junction plane has been obtained taking into account the spatial dispersion of a dielectric response of two-dimensional electron gas. The dependence of the CP properties on the parameters of the system was found. In particular, the magnitude of the CP amplitude exceeds that of the thermal energy, if the two-dimensional non-degenerate gas given in III-nitride heterojunctions and the dislocation densities being up to and over 10{10} cm{–2}.

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 4 раза в год. — Выходит с 07.2019. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текст: электронный

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. Т. 15, № 2, 2022. — 1 файл (4,05 Мб). — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j22-243.pdf>.