Детальная информация

В работе исследовано влияние ростовых условий и состояния поверхности кремния на процессы формирования буферных слоев фосфида галлия GaP на подложках кремния Si (001). Предложен и развит двухстадийный метод эпитаксиального выращивания псевдоморфных однодоменных буферных слоев GaP на Si (001), обеспечивающий разделение стадий зарождения и роста слоя на подложке. В отличие от метода эпитаксии с повышенной миграцией, предложенная технология позволяет управлять профилем легирования буферных слоев GaP на Si, что важно для дальнейших функциональных применений. Найдены основные факторы, определяющие ориентацию кристаллической решетки GaP при ее зарождении на вицинальной поверхности подложки. Путем тщательного контроля ростового процесса на обеих стадиях методами просвечивающей электронной микроскопии (TEM), дифракции быстрых электронов на отражение (RHEED), атомно-силовой микроскопии (AFM) и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии (HRXRD) доказано высокое структурное совершенство выращенных буферных слоев.

In the paper, the influence of growth factors and silicon surface condition on the epitaxial formation of single-domain GaP buffer layers on Si (001) has been studied. A novel two-stage growth technique for the epitaxial building-up of this structure has been put forward and developed. In contrast to using the migration enhanced epitaxy technique, the proposed technology allows one to separate the nucleation and growth stages, to control the doping profile of the GaP buffer layers. The latter is important for further functional applications. The main factors determining the orientation of GaP crystalline lattice when it nucleates on the Si vicinal surface were found. The structural perfection of the grown buffer layers at both stages was proved through careful control by TEM, RHEED, AFM, and HRXRD. These findings have important implications for further functional applications.

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 4 раза в год. — Выходит с 07.2019. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текст: электронный

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. Т. 17, № 2, 2024. — 1 файл (9,82 Мб). — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j24-231.pdf>.