Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией = The formation of single-domain gallium phosphide buffer layers on a silicon substrate without the use of migration enhanced epitaxy technique / В. В. Федоров, С. В. Федина, А. К. Кавеев [и др.]. — 1 файл (2,73 Мб). — (Физическое материаловедение). — DOI 10.18721/JPM.17209. — Текст: электронный // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 2. — С. 102-133. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j24-240.pdf>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого |
|---|---|---|---|---|---|
| Вчера | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 |
| Последние 30 дней | 10 | 0 | 5 | 0 | 15 |
| Последние 365 дней | 50 | 0 | 44 | 0 | 94 |
| За все время | 50 | 0 | 44 | 0 | 94 |