Details
Title | Class G power amplifier synthesis based on the probability density function dependence of the transmitted signal // Информатика, телекоммуникации и управление. – 2024. – Т. 17, № 2. — С. 17-23 |
---|---|
Creators | Leontiev E. V. |
Imprint | 2024 |
Collection | Общая коллекция |
Subjects | Радиоэлектроника ; Квантовая электроника ; power amplifiers ; Class G power amplifiers ; radiated signals ; PDF-signal dependence ; parametric synthesis ; LTE signals ; voltage switching ; усилители мощности ; усилители мощности класса G ; излучаемые сигналы ; PDF-зависимость сигналов ; параметрический синтез ; LTE-сигналы ; коммутация напряжений |
UDC | 621.375 |
LBC | 32.973-018.2 |
Document type | Article, report |
File type | |
Language | English |
DOI | 10.18721/JCSTCS.17202 |
Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\74870 |
Record create date | 12/16/2024 |
The article describes the technique of parametric synthesis of a class G power amplifier with maximum drain efficiency at the average output power with high PAPR (peak to average power ratio). The proposed technique was applied to an advanced OFDM signal of LTE standard. The optimal parameters of the envelope amplifier for LTE signal were received on the basis of proposed theoretical calculation. Proposed technique validity was confirmed experimentally by measuring the 3-level class G power amplifier prototype. The prototype operates in the frequency range of 700-1000 MHz and has a maximum power 44.3 dBm. It also has a drain efficiency of 30% at power output back-off equal to the peak to average power ratio of LTE signal. From the consistency of the computational and experimental results, it is possible to predict increasing a drain efficiency from 30% to 39.5% by using the digital pre-distortion system and the 5-level envelope amplifier.
Статья посвящена методике параметрического синтеза усилителя мощности класса G с максимальным КПД при средней мощности излучаемого сигнала с высоким пик-фактором. В работе показано применение предложенной методики к передовому OFDM-сигналу стандарта LTE. Получены оптимальные параметры усилителя огибающей в схеме усилителя мощности класса G для LTE-сигнала на основании теоретического расчета. Обоснованность изложенной методики подтверждена экспериментально путем измерения разработанного прототипа усилителя мощности класса G с тремя уровнями коммутации напряжения питания. Прототип работает в частотном диапазоне 700-1000 МГц, имеет максимальную мощность 44,3 дБм и КПД 30% при отстройке от максимальной мощности на величину пик-фактора LTE-сигнала. Из согласованности результатов расчета и эксперимента возможно предсказать, что при использовании системы предыскажений и усилителя огибающей с пятью уровнями коммутации напряжения питания КПД возможно увеличить с 30% до значения 39,5%.
Access count: 72
Last 30 days: 12