Details

Title Теоретическое исследование взаимодействия макромолекулы с квазисвободным и эпитаксиальным графеном, сформированном на политипах карбида кремния // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2023. – С. 87-94
Creators Лебедев А. А.; Давыдов С. Ю.
Imprint 2023
Collection Общая коллекция
Subjects Физика; Молекулярная физика в целом; макромолекулы; эпитаксиальные графены; квазисвободные графены; карбид кремния; политипы карбида кремния; двухуровневые модели макромолекул; однослойные графены; macromolecules; epitaxial graphenes; quasi-free graphenes; silicon carbide; silicon carbide polytypes; two-level models of macromolecules; single-layer graphenes
UDC 539.19
LBC 22.36
Document type Article, report
File type PDF
Language Russian
DOI 10.18721/JPM.16308
Rights Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\72567
Record create date 3/11/2024

Allowed Actions

Read Download (375 Kb)

Group Anonymous
Network Internet

С целью теоретического анализа взаимодействия оборванных молекулярных орбиталей органической макромолекулы с однослойным квазисвободным и эпитаксиальным графеном предложена двухуровневая модель органической макромолекулы, изначально содержащая полностью заполненный (HOMO) и вакантный (LOMO) уровни. В рамках стандартного адсорбционного подхода рассмотрено взаимодействие этих уровней с электронными состояниями квазисвободного и эпитаксиального графена. В качестве подложки рассмотрены политипы карбида кремния. Оценки показали, что максимальный переход электронов с оборванных связей на эпитаксиальный графен имеет место для подложки 3С-SiC.

A two-level model of an organic macromolecule has been put forward in order to analyze theoretically the interaction of dangling molecular orbitals of the organic macromolecule with quasi-free-standing and epitaxial graphene. The model initially contains a completely filled (HOMO) and empty (LOMO) levels. Within the framework of the standard adsorption approach, the interaction of these levels with quasi-free and epitaxial graphene was considered. Silicon carbide polytypes were considered as substrates. Our estimates showed that the maximum transition of electrons from dangling bonds to epitaxial graphene took place for the 3C-SiC substrate.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet All

Access count: 73 
Last 30 days: 8

Detailed usage statistics