Details
Title | Теоретическое исследование взаимодействия макромолекулы с квазисвободным и эпитаксиальным графеном, сформированном на политипах карбида кремния // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2023. – С. 87-94 |
---|---|
Creators | Лебедев А. А.; Давыдов С. Ю. |
Imprint | 2023 |
Collection | Общая коллекция |
Subjects | Физика; Молекулярная физика в целом; макромолекулы; эпитаксиальные графены; квазисвободные графены; карбид кремния; политипы карбида кремния; двухуровневые модели макромолекул; однослойные графены; macromolecules; epitaxial graphenes; quasi-free graphenes; silicon carbide; silicon carbide polytypes; two-level models of macromolecules; single-layer graphenes |
UDC | 539.19 |
LBC | 22.36 |
Document type | Article, report |
File type | |
Language | Russian |
DOI | 10.18721/JPM.16308 |
Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\72567 |
Record create date | 3/11/2024 |
С целью теоретического анализа взаимодействия оборванных молекулярных орбиталей органической макромолекулы с однослойным квазисвободным и эпитаксиальным графеном предложена двухуровневая модель органической макромолекулы, изначально содержащая полностью заполненный (HOMO) и вакантный (LOMO) уровни. В рамках стандартного адсорбционного подхода рассмотрено взаимодействие этих уровней с электронными состояниями квазисвободного и эпитаксиального графена. В качестве подложки рассмотрены политипы карбида кремния. Оценки показали, что максимальный переход электронов с оборванных связей на эпитаксиальный графен имеет место для подложки 3С-SiC.
A two-level model of an organic macromolecule has been put forward in order to analyze theoretically the interaction of dangling molecular orbitals of the organic macromolecule with quasi-free-standing and epitaxial graphene. The model initially contains a completely filled (HOMO) and empty (LOMO) levels. Within the framework of the standard adsorption approach, the interaction of these levels with quasi-free and epitaxial graphene was considered. Silicon carbide polytypes were considered as substrates. Our estimates showed that the maximum transition of electrons from dangling bonds to epitaxial graphene took place for the 3C-SiC substrate.
Access count: 73
Last 30 days: 8