Детальная информация

Название Влияние дырочных состояний на электронные и электростатические свойства двухмерных слоев на основе гетероструктуры кремний-германий-кремний // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2025. – Т. 18, № 2. — С. 22-29
Авторы Образцов К. В. ; Чибисов А. Н. ; Мамонова М. В.
Выходные сведения 2025
Коллекция Общая коллекция
Тематика Физика ; Классическая электродинамика. Теория относительности ; гетероструктуры кремний-германий-кремний ; двухмерные слои гетероструктур ; электростатические свойства ; электронные свойства ; дырочные состояния (физика) ; теория функционала плотности ; метод псевдопотенциала ; heterostructures silicon-germanium-silicon ; two-dimensional layers of heterostructures ; electrostatic properties ; electronic properties ; hole states (physics) ; density functional theory ; pseudopotential method
УДК 537.8
ББК 22.313
Тип документа Статья, доклад
Тип файла PDF
Язык Русский
DOI 10.18721/JPM.18202
Права доступа Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Дополнительно Новинка
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\76940
Дата создания записи 30.09.2025

Разрешенные действия

Прочитать Загрузить (0,7 Мб)

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

В работе рассматривается поведение дырочного кубита в гетероструктуре Si/Ge/Si. С этой целью проведено квантовомеханическое исследование с применением теории функционала плотности и метода псевдопотенциала. Для элементарной структуры были построены зонная структура и график плотности электронных состояний. Установлено, что основная часть этих состояний локализована в диапазоне энергий от -2 до -4 эВ. Для построенной суперъячейки была рассчитана работа выхода и выполнена оценка вклада электронной дырки в электростатический потенциал системы. Анализ полученных результатов показал, что изменение работы выхода в системе связано со смещением уровня энергетического вакуума.

The performance of a hole qubit in the Si/Ge/Si heterostructure is considered in this work. For this purpose, a quantum mechanical study using density functional theory and the pseudopotential method has been carried out. The zone structure and density of electronic states were constructed for the elementary structure. It was found that the bulk of these states are localized in the energy range from -2 to -4 eV. For the constructed supercell the yield work was calculated and the contribution of electron hole to the electrostatic potential of the system was evaluated. The analysis of the obtained results showed that the change of the yield work in the system is associated with the shift of the energy vacuum level.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все

Количество обращений: 11 
За последние 30 дней: 11

Подробная статистика