Details
Title | Влияние дырочных состояний на электронные и электростатические свойства двухмерных слоев на основе гетероструктуры кремний-германий-кремний // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2025. – Т. 18, № 2. — С. 22-29 |
---|---|
Creators | Образцов К. В. ; Чибисов А. Н. ; Мамонова М. В. |
Imprint | 2025 |
Collection | Общая коллекция |
Subjects | Физика ; Классическая электродинамика. Теория относительности ; гетероструктуры кремний-германий-кремний ; двухмерные слои гетероструктур ; электростатические свойства ; электронные свойства ; дырочные состояния (физика) ; теория функционала плотности ; метод псевдопотенциала ; heterostructures silicon-germanium-silicon ; two-dimensional layers of heterostructures ; electrostatic properties ; electronic properties ; hole states (physics) ; density functional theory ; pseudopotential method |
UDC | 537.8 |
LBC | 22.313 |
Document type | Article, report |
File type | |
Language | Russian |
DOI | 10.18721/JPM.18202 |
Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Additionally | New arrival |
Record key | RU\SPSTU\edoc\76940 |
Record create date | 9/30/2025 |
В работе рассматривается поведение дырочного кубита в гетероструктуре Si/Ge/Si. С этой целью проведено квантовомеханическое исследование с применением теории функционала плотности и метода псевдопотенциала. Для элементарной структуры были построены зонная структура и график плотности электронных состояний. Установлено, что основная часть этих состояний локализована в диапазоне энергий от -2 до -4 эВ. Для построенной суперъячейки была рассчитана работа выхода и выполнена оценка вклада электронной дырки в электростатический потенциал системы. Анализ полученных результатов показал, что изменение работы выхода в системе связано со смещением уровня энергетического вакуума.
The performance of a hole qubit in the Si/Ge/Si heterostructure is considered in this work. For this purpose, a quantum mechanical study using density functional theory and the pseudopotential method has been carried out. The zone structure and density of electronic states were constructed for the elementary structure. It was found that the bulk of these states are localized in the energy range from -2 to -4 eV. For the constructed supercell the yield work was calculated and the contribution of electron hole to the electrostatic potential of the system was evaluated. The analysis of the obtained results showed that the change of the yield work in the system is associated with the shift of the energy vacuum level.
Access count: 11
Last 30 days: 11