Образцов, К. В. Влияние дырочных состояний на электронные и электростатические свойства двухмерных слоев на основе гетероструктуры кремний-германий-кремний = The influence of hole states on the electronic and electrostatic properties of 2D layers based on the silicon-germaniumsilicon heterostructure / К. В. Образцов, А. Н. Чибисов, М. В. Мамонова. — 1 файл (680 Кб). — (Физика конденсированного состояния). — DOI 10.18721/JPM.18202. — Текст: электронный // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2025. – Т. 18, № 2. — С. 22-29. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j25-322.pdf>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого |
|---|---|---|---|---|---|
| Год 2025 | 10 | 0 | 4 | 0 | 14 |
| Всего | 10 | 0 | 4 | 0 | 14 |