Детальная информация

Приведены результаты теоретических расчетов электронных состояний нанокристаллов оксида галлия (Ga[2]O[3]) как легированных донорной примесью, так и нелегированных. Определены структура, состояния и энергетические уровни размерного квантования в нанокристаллах в приближении огибающей функции. Согласно расчетам, электронно-дырочная пара образует в нанокристалле связанное состояние экситонного типа. Показано, что типичные донорные примеси в Ga[2]O[3], такие как кремний и олово, создают в запрещенной зоне состояния, локализованные в пространственной области, в несколько раз меньшей объема нанокристалла. Образуя компактную нейтральную пару, электрон и донорный ион не оказывают какого-либо заметного влияния на состояния оптически возбужденных электронно-дырочных пар. Обсуждается также влияние внедрения примеси на рекомбинационные процессы.

The results of theoretical calculations of electronic states of the gallium oxide (Ga[2]O[3]) nanocrystals both doped with donor impurity and undoped have been presented in the paper. In the envelope function approximation, the structure, states and energy levels of size quantization in the nanocrystals were determined. According to our calculations, the electron-hole pair forms a bound state of the exciton type in the nanocrystal. The typical donor impurities in Ga[2]O[3], such as silicon and tin, were shown to create bandgap states localized in a spatial domain being several times smaller than the nanocrystal’s volume. Forming a compact neutral pair, the electron and donor ions have no noticeable influence on the states of the optically excited electron-hole pairs. The effect of impurity implantation on recombination processes was also discussed.

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 4 раза в год. — Выходит с 07.2019. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текст: электронный

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. Т. 17, № 3, 2024. — 1 файл (10,2 Мб). — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j25-34.pdf>.