Details
| Title | Электронная структура нанокристаллов оксида галлия, легированных мелкими донорами // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 7-16 |
|---|---|
| Creators | Ревин А. А. ; Конаков А. А. ; Королев Д. С. |
| Imprint | 2024 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Физика твердого тела. Кристаллография в целом ; оксид галлия ; нанокристаллы ; электроные структуры ; легирование мелкими донорами (физика) ; донорные примеси (физика) ; квантово-размерные эффекты ; размерное квантование ; gallium oxide ; nanocrystals ; electronic structures ; doping by small donors (physics) ; donor impurities (physics) ; quantum dimensional effects ; dimensional quantization |
| UDC | 539.2 |
| LBC | 22.37 |
| Document type | Article, report |
| File type | |
| Language | Russian |
| DOI | 10.18721/JPM.17301 |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\75150 |
| Record create date | 2/4/2025 |
Allowed Actions
–
Action 'Download' will be available if administrator prepare required files
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
Приведены результаты теоретических расчетов электронных состояний нанокристаллов оксида галлия (Ga[2]O[3]) как легированных донорной примесью, так и нелегированных. Определены структура, состояния и энергетические уровни размерного квантования в нанокристаллах в приближении огибающей функции. Согласно расчетам, электронно-дырочная пара образует в нанокристалле связанное состояние экситонного типа. Показано, что типичные донорные примеси в Ga[2]O[3], такие как кремний и олово, создают в запрещенной зоне состояния, локализованные в пространственной области, в несколько раз меньшей объема нанокристалла. Образуя компактную нейтральную пару, электрон и донорный ион не оказывают какого-либо заметного влияния на состояния оптически возбужденных электронно-дырочных пар. Обсуждается также влияние внедрения примеси на рекомбинационные процессы.
The results of theoretical calculations of electronic states of the gallium oxide (Ga[2]O[3]) nanocrystals both doped with donor impurity and undoped have been presented in the paper. In the envelope function approximation, the structure, states and energy levels of size quantization in the nanocrystals were determined. According to our calculations, the electron-hole pair forms a bound state of the exciton type in the nanocrystal. The typical donor impurities in Ga[2]O[3], such as silicon and tin, were shown to create bandgap states localized in a spatial domain being several times smaller than the nanocrystal’s volume. Forming a compact neutral pair, the electron and donor ions have no noticeable influence on the states of the optically excited electron-hole pairs. The effect of impurity implantation on recombination processes was also discussed.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | All |
|
Access count: 55
Last 30 days: 15
