Details
| Title | Создание оптических изолированных микрорезонаторов GaP(NAs) на кремнии // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 25-35 |
|---|---|
| Creators | Дворецкая Л. Н. ; Можаров А. М. ; Комаров С. Д. ; Вячеславова Е. А. ; Моисеев Э. И. ; Федоров В. В. ; Мухин И. С. |
| Imprint | 2024 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Геометрическая оптика. Оптические приборы ; микрорезонаторы ; оптические микрорезонаторы ; изолированные микрорезонаторы ; микрорезонаторы на кремнии ; плазмохимическое травление ; микрофотолюминесценция ; полупроводниковые материалы ; microresonators ; optical microresonators ; insulated microresonators ; silicon microresonators ; plasma chemical etching ; microphotoluminescence ; semiconductor materials |
| UDC | 535.31 |
| LBC | 22.344 |
| Document type | Article, report |
| File type | |
| Language | Russian |
| DOI | 10.18721/JPM.17303 |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\75153 |
| Record create date | 2/4/2025 |
В статье представлена технология формирования оптических микрорезонаторов, основанных на системе полупроводниковых материалов GaP(NAs) на кремниевой подложке. Впервые разработан режим плазмохимического травления, при котором достигается аспектное соотношение 5:1 при травлении слоев, состоящих из элементов III - V групп, и низкая шероховатость боковых стенок. Предложен технологический подход, обеспечивающий оптическое разделение микрорезонатора с кремниевой подложкой, что важно для эффективной локализации света в фотонной структуре. Проведенные оптические исследования и численный расчет показали наличие модуляций в спектрах микрофотолюминесценции микроструктур; модуляции обусловлены возникновением резонансов Фабри - Перо. Выполненное исследование является важным шагом в развитии технологии создания и применения комбинированных структур с оптическими волноводами на кремниевой основе.
This article presents the technology for the formation of optical microcavities based on the GaP(NAs) semiconductor material system on silicon. For the first time, a plasma etching mode which ensures the achievement of an aspect ratio of 5:1 and low roughness of the side walls has been proposed in etching layers of III-V groups. A technological approach was also put forward to ensure optical separation of the microcavity with the Si substrate, that being important for efficient localization of light in the photonic structure. The optical studies and numerical calculation showed the presence of modulations in the micro-photoluminescence spectra of microstructures caused by the appearance of Fabry - Perot resonances. This research is an important step in the development of the technology of creation and application of combined structures with silicon-based optical waveguides.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | All |
|
Access count: 61
Last 30 days: 14
