Детальная информация

В работе выполнено численное моделирование туннельного эффекта в системе n-GaN на кремнии Si p-типа проводимости. Получены вариации зонных диаграмм, вольтамперных характеристик и частот отсечки соответствующих диодных гетероструктур в зависимости от уровней легирования GaN и Si. Установлены значения концентраций легирующей примеси для реализации режимов обращенного и туннельного диодов. В режиме туннельного диода наибольшая плотность туннельного тока и предельная частота генерации составили 24,6 кА/см{2} и 17 ГГц, соответственно.

In this study, a numerical simulation of the tunnel effect in the n-GaN/p-Si heterostructure has been performed. Variations of band diagrams, current-voltage characteristics and cutoff frequencies of the diode heterostructures under study were obtained depending on the doping levels of GaN and Si. The dopant concentration values were found for implementing backward and tunnel diode modes. In the tunnel diode mode, the peak current density and maximal generation frequency were 24.6 kA/cm{2} and 17 GHz, respectively.

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 4 раза в год. — Выходит с 07.2019. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текст: электронный

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. Т. 17, № 3, 2024. — 1 файл (10,2 Мб). — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j25-34.pdf>.