Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии = Numerical simulation of the tunnel effect in the gallium nitride heterostructure on silicon / Д. А. Барыкин, К. Ю. Шугуров, А. М. Можаров, И. С. Мухин. — 1 файл (1,13 Мб). — (Математическое моделирование физических процессов). — DOI 10.18721/JPM.17305. — Текст: электронный // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 46-56. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j25-39.pdf>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого |
|---|---|---|---|---|---|
| Вчера | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 |
| Последние 30 дней | 14 | 0 | 13 | 0 | 27 |
| Последние 365 дней | 51 | 0 | 38 | 0 | 89 |
| За все время | 51 | 0 | 38 | 0 | 89 |