Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии = Numerical simulation of the tunnel effect in the gallium nitride heterostructure on silicon / Д. А. Барыкин, К. Ю. Шугуров, А. М. Можаров, И. С. Мухин. — 1 файл (1,13 Мб). — (Математическое моделирование физических процессов). — DOI 10.18721/JPM.17305. — Текст: электронный // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 46-56. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j25-39.pdf>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Год 2025 | Квартал 1 | 34 | 0 | 23 | 0 | 57 |
| Квартал 2 | 18 | 0 | 16 | 0 | 34 | |
| Всего | 52 | 0 | 39 | 0 | 91 | |